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1.
利用射频磁控溅射方式将氧化铟锡(ITO)沉积在玻璃基板上,设定温度、压力、溅射功率为主要参数,每个参数均有3个水平,运用田口实验方法设计L9直交表,质量目标设定为方阻,以变异数分析得到的结果作为最优工艺参数条件,并测量膜厚、透光率.以X光衍射仪分析结晶状况、SEM观察结构及生长型态来了解其性质.结果显示功率对方阻的影响最大,贡献度占91%,而功率大,薄膜厚度越厚,晶粒粒径较大,结晶性较强,方阻减小及透过率降低.由于结晶性好也提高透光率,膜厚100~300 nm时,透光率80%以上.最优工艺参数为温度230 ℃、功率300 W及压力在1.5 mTorr下有方阻最小.  相似文献   
2.
张敏 《安徽科技》2012,(10):10-11
正安徽蚌埠华益导电膜玻璃有限公司通过引进消化吸收再创新,走产品结构不断优化、生产规模逐渐扩大、经济效益稳步递增的良性发展之路。公司的系列ITO(氧化铟锡)导电膜玻璃销售到日本、台湾、东南亚等地区,与松下、摩托罗拉、诺基亚、LG等众多知名企业产品配套,全球市场占有率达20%,居世界首位,已成为全球规模最大、品种最为齐全的ITO导电膜玻璃研发生产基  相似文献   
3.
采用直流磁控溅射法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,用XRD、TEM和分形理论测试和分析了不同退火时间ITO薄膜的微结构。XRD分析表明:退火时间持续增加,薄膜的晶格常数先减小后略有增大,这是薄膜中Sn~(4+)取代Sn~(2+)导致晶格常数减小和压应力不断释放导致晶格常数增大共同作用的结果。分形研究表明:分形维数随退火时间的延长先减小后增大,说明薄膜中平均晶粒尺寸先减小后增大,与XRD的研究结果一致。  相似文献   
4.
有机电致发光器件(OLED)电极引线发生腐蚀是OLED失效的重要原因.用XRD,XPS,SEM和EDX等方法对镀Cr的ITO电极引线样品的腐蚀产物成分、结构和形貌进行了分析,XRD和XPS结果表明镀层Cr反应生成Cr(OH)3和CrO3,SEM和EDX结果表明Cr先腐蚀,ITO随后发生腐蚀.然后通过对引线样品在不同溶液中的极化曲线分析,得知Cr腐蚀产物的价态与其所处的电位有关,且氯离子对ITO腐蚀具有促进作用.最后根据实验结果对电极引线腐蚀的全过程提出一简化模型进行解释.  相似文献   
5.
热处理对直流磁控溅射ITO薄膜光电学性质的影响   总被引:2,自引:4,他引:2  
利用直流磁控溅射在石英衬底上沉积透明导电的掺锡氧化铟(ITO)薄膜,在相同条件下制备了两种不同溅射时间(30、10min)的样品,样品在400℃的大气中进行1h退火处理.利用分光光度计测量薄膜的正入射透射光谱,并拟合透射光谱得到薄膜的折射率、消光系数及厚度;用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质,包括载流子浓度、载流子迁移率和电阻率.实验结果显示退火处理对ITO薄膜的光学、电学性质有重要影响,退火样品在可见光区域的透过率明显提高,且光学吸收边向长波方向移动;然而,退火前薄膜的电学性能更好.  相似文献   
6.
提出了一种可显著改善室温下直流磁控溅射氧化铟锡(ITO)薄膜晶体结构、光学和电学性能的后处理方法,将ITO薄膜分别置于氩气、氨气和氧气中进行低温等离子体退火处理.同单纯的退火处理相比,在3种气氛下,低温等离子退火均可使室温溅射沉积的ITO薄膜在相对低的温度(150℃)时,由非晶态转变为晶态,其相应的电学和光学性能都有较大的提高.实验证明:氨气气氛下退火温度为350℃时,玻璃衬底上ITO薄膜在波长为600 nm的可见光区内的透光率可达88.5%;薄膜表面的针刺很少,表面平整度小于2.08 nm;方块电阻由348.7Ω降到66.8Ω,相应的电阻率由4.1×10-3Ω.cm降到7.9×10-4Ω.cm.该方法更能满足柔性有机聚合衬底的ITO薄膜对低温退火的要求.  相似文献   
7.
氧化铟锡薄膜在光学太阳反射镜上的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了光学太阳反射镜抗静电放电用氧化铟锡薄膜的设计原则.理论分析和实验结果表明,在将氧化铟锡(ITO)薄膜应用于光学太阳反射镜(OSR)表面防静电放电时,ITO薄膜的表面方阻R□不能小于5 kΩ@□-1,否则会导致OSR的太阳光谱吸收率增加.建议取R□=5~106kΩ@□-1,薄膜厚度d=(150~200)×10-10 m.同时必须保证ITO薄膜接地效果良好,否则会使OSR表面充放电现象更加严重.  相似文献   
8.
有机薄膜场效应晶体管的研制   总被引:5,自引:1,他引:5  
采用聚四氟乙烯充当绝缘材料,利用全蒸镀法制备得到了有机薄膜场效应晶体管.源极和漏极采用氧化铟锡,半导体层和绝缘层分别由铜酞菁和聚四氟乙烯充当,栅极采用银电极.在利用光刻制备沟道长度为50μm的源极和漏极后,依次真空沉积铜酞菁层、聚四氟乙烯层和银层,得到器件的电子迁移率为1.1×10~(-6)cm~2·(V·s)~(-1),开关电流比大于500.  相似文献   
9.
用化学共沉淀法制备的铟锡氧化物复合粉末经冷等静压成形后进行热等静压致密化所得靶材常常会产生裂纹.用电子探针分析了铟锡氧化物热等静压后裂纹处铟、锡和氧的成分分布.结果表明,裂纹处铟含量极低,锡含量极高,而氧含量低于配比含量,这与In2O3 和SnO2 在高温下不同的分解行为有关;粉末经高温煅烧预处理后,进行热等静压致密化所获得的靶材的相对密度可达到98 % 以上,且裂纹大大减少.  相似文献   
10.
利用射频磁控溅射方式将氧化铟锡(ITO)沉积在玻璃基板上,设定温度、压力、溅射功率为主要参数,每个参数均有3个水平,运用田口实验方法设计L9直交表,质量目标设定为方阻,以变异数分析得到的结果作为最优工艺参数条件,并测量膜厚、透光率。以X光衍射仪分析结晶状况、SEM观察结构及生长型态来了解其性质。结果显示功率对方阻的影响最大,贡献度占91%,而功率大,薄膜厚度越厚,晶粒粒径较大,结晶性较强,方阻减小及透过率降低。由于结晶性好也提高透光率,膜厚100~300nm时,透光率80%以上。最优工艺参数为温度230℃、功率300 W及压力在1.5mTorr下有方阻最小。  相似文献   
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