氧化物材料HoMnO3的复阻抗谱分析

模拟了氧化物多晶材料中晶粒和晶界的介电响应,分析了电阻和电容与阻抗谱之间的关系,利用阻抗谱斜率的关系来验证拟合数据的正确性.用高温固相反应法制备了钙钛矿氧化物材料HoMnO3,利用复阻抗分析谱分析了该材料在650 Hz～1 MHz频率范围内的介电响应,结果表明:制备的氧化物材料是由晶粒和晶界组成的多晶材料,并且高频部分反映HoMnO3材料晶粒行为;低频部分反映HoMnO3材料的晶界行为.通过数据拟合可以得到其晶粒和晶界的电阻分别约为105Ω和106Ω;晶粒和晶界的电容均约为10-9F.     

反馈网络中电位器对调节器性能的影响

通过对各种类型的调节器中含有电位器时传递函数的求解分析,得出接入电位器后对调节器的比例放大系数、微分时间常数及积分时间常数的影响结果,并使多种调节器在形式上得到了统一,根据需要可方便地调节电位器使其性能达到设计的需要.     

低温烧结Bi取代钇铁石榴石的复阻抗研究

用复阻抗的方法研究了低温烧结Bi取代钇铁石榴石的电性质.采用固相反应制备多晶钇铁石榴石陶瓷Y2BiFe5O12(YIG∶Bi)和Y3Fe5O12(YIG).采用X射线衍射衍射(XRD)表征粉末及陶瓷样品的相组成,结果表明,Bi取代可以显著降低钇铁石榴石的成相温度和烧结温度.复阻抗谱分析表明,YIG∶Bi样品的复阻抗谱表现为两个Cole-Cole半圆,其低频半圆和高频半圆分别对应高直流电阻的晶界和低直流电阻的晶粒的电响应,物理结构可以用由串联的两个RC回路组成的等效电路来表示;而YIG样品的复阻抗谱只有一个对应为晶界电响应的半圆,其等效电路为一个RC回路.电阻随温度的变化表明,材料的导电机制符合Arrhenius规律,为半导体型的热激活过程.     

纳米离子导体Ca_(1-x)La_xF_(2+x)的复阻抗谱和介电常数

在阴离子导体中,除氧离子导体外,研究得较多的是氟离子导体.由于卤素有高的氧化能力,氟化剂与金属的反应对应于体系自由能的很大变化,若用作电极对则可得到高的电压和功率密度;而且F~-是最小的单电荷阴离子,氟化物很有希望制成离子电导率高的固体,此外,氟化物常是电子绝缘体,结构简单,便于简化理论模型.为了提高氟离子电导率,一般采用掺杂异价氟化物的方法,如文献[1]对(CaF_2 YF_3)、文     

PTCR半导陶瓷老化后的复阻抗研究

根据ＰＴＣＲ半导体陶瓷在湿热条件下的老化试验结果，对ＰＴＣＲ半导体陶瓷老化前后分别提出了不同的等效电路模型，通过对阻抗－频率关系曲线的测量，求出了ＰＴＣＲ半导瓷的特性参数．计算结果表明，老化后室温阻值增加，这主要是电极氧化引起的．对实验结果进行了物理本质的初步探讨．     

考虑竖向荷载的Timoshenko模型桩水平振动响应解析解

考虑饱和土应力和位移沿深度的变化,将桩基等效为Timoshenko模型,对饱和土中竖向荷载作用下的端承桩水平振动响应进行了理论研究。基于Biot动力固结理论,通过引入势函数解耦土体方程。利用Laplace变换和分离变量法求得桩周土体频域响应解析解。考虑桩基的剪切变形和转动惯性效应,结合桩土接触连续性条件,得到桩体位移和桩顶动力复阻抗频域解析解。通过数值算例,比较了竖向荷载作用下Euler-Bernoulli模型与Timoshenko模型桩顶振动特性;并研究了长径比和竖向荷载对桩顶动力复阻抗的影响。结果表明:采用Euler-Bernoulli模型计算桩顶动力复阻抗偏于危险;长径比增大到临界值后,长径比对桩顶动力复阻抗影响较小;竖向荷载导致桩顶动力复阻抗突然降低,对桩基承载能力有不可忽视的影响。     

考虑沉桩挤土效应的楔形管桩纵向振动特性

基于剪切复刚度传递方法研究考虑沉桩挤土效应的楔形管桩纵向振动特性。首先,根据楔形管桩特殊的桩身结构并考虑桩周土的成层性,将桩-土体系沿竖向划分为若干段,进一步地,将桩周土沿径向划分为若干环形圈层以考虑沉桩过程中的挤土效应导致的土体径向非均质性;逐圈层求解土体动力平衡方程并通过相邻圈层间剪切复刚度的传递得到桩-土界面的剪切复刚度,求解桩的动力平衡方程,并结合Laplace变换和阻抗函数递推的方法,得到楔形管桩桩顶复阻抗频域响应解析解;通过与已有解答的对比证明了本文解的可靠性,在此基础上,分析了楔形管桩桩身参数及沉桩过程中的挤土效应对低频范围内桩顶复阻抗的影响。     

(Ba,Sr)TiO3系线性PTCR陶瓷的电性能研究

通过对材料的复阻抗频谱、霍尔系数及零功率电阻-温度等电学特性的测试和分析,对(Ba,Sr)TiO     

梯形网络等效复阻抗的普适解

梯形网络是实际电路中常见的电路网络,通过分析梯形网络的特点及其规律,建构梯形网络的等效模型,并利用矩阵法解得端口复阻抗的普适规律和趋于无穷时的极限复阻抗,发现等效复阻抗的周期性。     

TiO2纳米管阵列的等效电路

通过复阻抗谱方法分析提出了TiO2纳米管阵列薄膜的电路模型.TiO2纳米管采用纯钛板在HF酸水溶液中电化学阳极氧化生成,SEM观测说明TiO2纳米管是结构致密有序的阵列.根据复阻抗测量数据认为阵列薄膜的等效电路是两个RC并联回路组成的串联回路,由此拟合并给出了等效电路元件的各参数值.