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1.
为了解决E类功率放大器最大工作频率(f max )受晶体管输出电容限制的问题,提出了一种新型的E类功率放大器输出匹配电路结构.该结构能够同时实现对晶体管在基波和谐波下的过剩输出电容进行补偿,一方面提升了E类功率放大器在高频工作时的效率,另一方面也降低了电路的复杂度和实现难度.利用所提出的方法,采用GaN HEMT器件,设计并实现了工作在2.5 GHz的E类功率放大器.测试结果表明,其最大功率附加效率(PAE)达到80%,饱和输出功率为40.1 dBm.  相似文献   
2.
针对当前应用于北斗卫星系统的射频功率放大器的小功率、低效率、高成本等缺点,本文提出一种基于功分合路器的改进型三级级联射频功率放大器设计方案。利用负载牵引法对末级功率放大器进行设计,利用集总参数与分布参数相结合的技巧对微带低通滤波器进行设计,利用小信号S参数法对前置级放大器进行设计。通过详细的理论分析和仿真优化,结合射频硬件电路和结构的设计要求,实际制作并实现稳定高效的30 W射频功率放大器设计。该方案可使低供电电压的小功率射频器件实现较大功率输出,并较好地兼顾线性度和效率。  相似文献   
3.
主要设计应用了一款栅极调制与漏极调制相结合的固态功率放大器双脉冲调制电路。设计的双脉冲调制电路主要解决了固态功率放大器放大管在漏极上电过程中引起的芯片自激干扰问题。主要采用大电流NPN三极管BU407和高速大电流低内阻的P沟道MOS管IRF4905为固态功率放大器设计了漏极脉冲调制控制电路,采用高速功率MOSFET驱动器MC33152为固态功率放大器设计了栅极脉冲调制控制电路,双脉冲调制电路可直接控制固态功率放大器的工作状态,消除单一调制电路引起的自激等问题。  相似文献   
4.
阐述了密集波分复用系统工作原理和系统组成,由G.652色散模块补偿G.655光纤,由HBA,RPC和OAU组成收发端的高倍放大系统,并在L国H市与S市之间成功完成了超长距波分传输系统设计,降低了工程成本.  相似文献   
5.
放大器作为一种在电子产品中广泛运用的电子器件,其技术的发展对各类电子行业都带来了变革式影响。基于此,从放大器的应用与分类,简析其主要技术的发展以及目前常用的功率放大器的性能特点,针对行业现状对放大器的应用进行探讨。  相似文献   
6.
美国加州理工学院的工程师团队首次开发出一种可在微秒之间,对智能手机和电脑中从电池到总晶体管等故障自行修复的集成芯片。加州理工学院工程和应用科学部高速集成电路实验室的研究团队,在小功率放大器里证明了这种集成芯片的自愈能力。容纳了76个芯片的该放大器尽管非常小但拥有却包括自我修复所需要  相似文献   
7.
阐述了Muhisim2001的主要功能与特点,并利用Multisim2001对丙类功率放大器电路进行了仿真,讨论了丙类功率放大器的集电极电流、输出电压、输出功率、集电极效率,晶体管高频功率放大器的高频特性.利用Muhisim2001可以很方便地改变元件或电路中参数,观察不同条件下电路的工作情况.  相似文献   
8.
受到功放非线性特点的限制,直放站的效率大大降低.为提高直放站的输出效率,增加数字预失真功能提出了一种数字预失真直放站的设计方法,并给出了具体的实现方案.经仿真验证,算法简单可靠,可以较大地提高数字直放站的效率.  相似文献   
9.
针对IEEE802.16e WiMAX标准设计并实现了中心频率为3.5GHz、峰值功率为10W的LDMOS大功率射频功率放大器.采用负载牵引法确定了功放管的最佳输入和输出阻抗.各项指标的仿真结果与实测结果高度吻合.提出一种低记忆功放并结合间接学习的方法,对该功放进行行为级建模和数字预失真,同时建立了多载波信号产生和采集的软硬件平台.实验结果表明,对于三载波W-CDMA宽带输入信号,当输出平均功率为30dBm时,采用仅7个系数的Hammerstein模型,即可得到-47.5dBc的邻道泄漏(ACLR)指标,改善度达到14dB.相对于传统的预失真技术,提出的方法能够在保证预失真性能的同时减少计算量,具有良好的应用前景.  相似文献   
10.
正他的名字,我们一般人可能都不太熟悉,但是我们日常生活中各种大大小小的"享受"和"方便",却都与他的发明成果相连,小如手机里微波电子零件如射频开关、前端放大器、功率放大器、CD音响唱碟、DVD放映机、个人电脑中读二元数据的半导体镭射激光器,大如电子通讯的发电站等微波高速电子器件和光电子器件。凭借这些研究成果,  相似文献   
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