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1.
掺杂对纳米ZnO薄膜结构的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用真空蒸发法和热氧化制备纳米ZnO薄膜,分析掺杂对薄膜结构的影响。实验发现,掺入一定比例的In,可以得到沿c轴择优取向的纳米ZnO薄膜,薄膜结晶度有所下降,影响薄膜沿c轴的择优取向。掺Sb可以得到沿c轴择优取向的纳米ZnO薄膜掺。Bi可以改善结晶度,获得强烈沿c轴的择优取向的薄膜。实验发现随In含量的增加,薄膜晶粒尺寸逐渐减小,随Sb含量的增加,晶粒尺寸逐渐增加,而Bi含量的变化对晶粒尺寸基本没有影响。  相似文献
2.
采用化学共沉淀法合成了稀释磁性半导体Zn1-xCoxO(x=0.01~0.42)纳米晶,X-射线衍射和红外光谱显示钴离子掺杂到氧化锌晶格中并替代了部分锌离子的占位,用振动样品磁强计研究了Zn1-xCoxO系列样品的磁性能,发现当x≤0.12时,样品呈现明显的室温铁磁性.此外,研究了合成过程中反应液的pH值、钴的掺入量和产生的沉淀等因素对Zn1-xCoxO磁性能的影响,并初步探讨了反应机理.  相似文献
3.
Bulk samples with nominal composition Zn0.95Co0.05O and Zn0.92Co0.05Mn0.03O were fabricated by a solid-state reaction method at 600℃.X-ray diffraction experiment showed that the peaks of secondary phase Co3O4 with a cubic structure were visible in both samples,besides the main peaks of wurtzite structure as ZnO.Magnetization measurement indicated that doping Co alone can induce ferromag- netism in ZnO itself,while the introduction of Mn significantly enhances ferromagnetism.However, both samples showed different magnetic behavior at temperatures below 50 K.It was also noted that ferromagnetic coupling interaction was weakened due to the presence of antiferromagnetic Co3O4.  相似文献
4.
采用化学溶液沉积法制备了镁、铕共掺杂氧化锌纳米材料,通过 X 射线衍射仪( XRD)、扫描电镜(SEM)和光致发光谱(PL)等测试,选取了5个退火温度,研究了退火温度对镁、铕共掺杂氧化锌纳米材料结构和光学性能的影响。结果表明:所制备的镁、铕共掺杂氧化锌纳米材料均为六角纤锌矿结构,其光学性能与退火温度关系密切,当退火温度为400℃时,发光性能最好。  相似文献
5.
以钛掺杂氧化锌镓(GZO) 陶瓷靶作为溅射源材料,采用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了掺钛GZO(GZO:Ti) 透明半导体薄膜,利用光谱拟合方法计算了GZO:Ti 薄膜的折射度、消光系数和厚度等光学参数,研究了氩气压强对GZO:Ti 薄膜光学性质的影响. 结果表明:拟合光谱曲线与实验测量光谱曲线一致,薄膜的光学性质与氩气压强密切相关,GZO:Ti 薄膜折射率随波长增大而逐渐减小,表现出正常的色散性质.另外还采用包络法计算了GZO:Ti 薄膜的折射率和厚度,两种方法所获得的结果是基本相符的.  相似文献
6.
用高温固相反应法制备了镓掺杂的氧化锌导电陶瓷,研究了预烧温度、烧结温度和掺杂浓度等工艺条件;用射频磁控溅射方法分别在玻璃和石英基底上沉积了镓掺杂的氧化锌薄膜,研究了该薄膜在不同的基底温度和不同的氧氩比等条件下的光电性质的变化情况以及氮气氛下不同退火温度下的光电性质,结果表明:镓掺杂氧化锌薄膜在450℃的基底温度、2%的掺杂浓度和700℃的退火温度等条件下实现了0.84×10-4Ω.cm的低电阻率和大于90%的可见光透过率,其光学带隙随退火温度的上升也有一定程度的增大.  相似文献
7.
该文主要采用第一性原理对掺铝、掺氮、铝氮共掺杂氧化锌纳米管的电子结构进行了计算,并分析了差分电荷密度对氧化锌纳米管电子结构的影响.结果显示,铝氮共掺杂可以使主能级局域性对氮形成的影响减小,提高氮的溶解度,这一掺杂方法将是顺利实现氧化锌纳米管p型参杂的有效途径.  相似文献
8.
采用水热法制备Co掺杂ZnO粉体,研究反应的温度、pH值、时间、Co离子浓度等对复合粒子的影响。结果表明:反应的最佳温度为140℃,最佳pH值为6.25,最佳时间为6 h,最佳浓度比为1:20。通过X射线衍射仪、光催化实验对其进行表征,实验表明Co掺杂的ZnO粉体其光催化性能相对于纯氧化锌有明显提高,随着掺杂浓度的增加而升高,到达1:16.7时达到峰值。  相似文献
9.
徐祥福 《科技资讯》2011,(20):142-142,144
采用直流脉冲磁控溅射方法在非晶硅薄膜上制备AZO背反电极,比较不同制备参数对透过率及效率的影响。采用优化参数,得到效率增加了0.8%的非晶硅薄膜电池。根据实验结果,证明背反电极增反机理不是薄膜干涉增强原理,而是因为界面共振吸收减少,而导致光的吸收增强的机理。  相似文献
10.
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法研究了掺钴氧化锌稀磁半导体中氢原子结构稳定性和振动性质.给出了氢各种可能存在的位置,并分析了其稳态及亚稳态几何位型,同时为实验研究提供了其对应的振动频率及OH键长.基于氢原子具有轻的质量,在振动频率计算中考虑了非谐项的影响.  相似文献
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