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本文报导了用高纯氮气携带液氧蒸汽进入氧化炉生长约20A(?)的可隧穿的超薄SiO_2膜,以及用SiH_4—NH_3体系的LPCVD技术淀积具有电荷存储特性的Si_3N_4膜,从而制作出MNOS结构的可变阈值晶体管。这种晶体管的阈值电压窗口约17伏,且具有不破坏的读出特性。  相似文献
2.
提出了一种全局运动区域检测与全局运动模型参数估计的阈值可变双迭代法,该方法包含两个迭代过程:①迭代最小二乘法进行参数的估计,迭代过程中用可变的百分比阈值去除局部运动点的干扰:②检测完整的全局运动区域并得到最后的模型参数.阈值可变双迭代法对不同视频的适应能力较强,得到的全局运动区域更完整,模型参数的估计更稳定,实验结果验证了该方法的可行性和优越性.  相似文献
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