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1.
稀土掺杂TiO2薄膜的制备及光催化特性   总被引:20,自引:0,他引:20  
用Sol-gel法制备出一系列镧系离子掺杂的TiO2薄膜,经X射线衍射(XRD)、紫外可见(UV-Vis)吸收光谱表征该TiO2薄膜,并研究了其光催化活性. XRD研究结果表明:镧系离子掺杂TiO2薄膜的XRD与未掺杂薄膜的XRD基本一致. 在控制实验条件下,主要为锐钛矿型晶型. UV-Vis吸收光谱表明:当λ>360 nm时其吸光值低于0.4,并测得薄膜的厚度.光催化降解罗丹明B的实验表明,掺杂稀土离子的TiO2薄膜的光降解效率高于未掺杂的TiO2薄膜. 当n(La)=0.5%,n(Eu)=0.7% ,n(Er)=0.8% (n为摩尔比)时的降解效率达到最大. 而不同镧系离子在最佳掺杂量时的光降解效果为:La3+>Eu3+>Er3+.  相似文献
2.
应用射频磁控溅射方法制备声表面波器件用ZnO薄膜   总被引:5,自引:0,他引:5  
采有RF平面磁控溅射技术在单昌Si(100)衬底上淀积了ZnO薄膜。对退火前后ZnO薄膜的结构特性、化学组份以及缺陷特性进行了详细的研究。结果表明:在纯氧中高温退火(600℃)是改善ZnO压电薄膜的结构特性、化学组份并减少缺陷的良好方法。  相似文献
3.
等离子体增强CVD氧化硅和氮化硅   总被引:3,自引:0,他引:3  
利用红外吸收谱等微观分析对氧化硅和氮化硅薄膜的成分和结构进行了研究。采用高频C-V测试和准静态离子电流法测量了氧化硅、氮化硅及其复合膜的界面特性,结果表明PECVDSiO2-SiN双层结构的复合膜对半导体器件表面有良好的钝化效果。  相似文献
4.
3C—SiC晶体薄膜的退火特性及其光荧光   总被引:2,自引:1,他引:1  
采用HFCVD技术,通过两步CVD生长法,以CH4+SiH4+H2混合气体为生长源气,在Si衬底上生长3C-SiC晶体薄膜。对所制备的样品薄膜在氮气气氛中分别采取了快速退火和慢速退火处理,并对退火前后的样品进行了光荧光(PL)分析。结果显示,未经退火处理的样品其PL谱为一覆盖整个可见光区域展宽光谱线,主峰位置在520nm附近;经快速退火处理后样品的PL谱在450nm位置附近出现了又一较强峰,再经慢速退火处理后此峰基本消失,但室温PL峰发生红移。比较结果说明快速退火处理极易给3C-SiC晶体薄膜造成应力损伤。  相似文献
5.
掺杂SnO2薄膜作为电热材料的研究——成膜工艺条件探讨   总被引:2,自引:0,他引:2  
以石英管作为衬底材料以SnCl4,SbCl3的混合乙醇溶液作为喷涂液,在600-620℃高温下用化学热喷涂法在石英管表面制作SnO2电热膜,工艺实践表明:30min是最佳喷涂时间,可获得最高功率密度25W/cm^2,喷涂时间过短,SnO2膜过薄而功率小,喷涂时间大于30min,由于“硅扩散”破坏SnO2的能级简并结构,不仅导电性劣化,而且电阻率温度系数逐渐由正变负,导致不能用作电热材料。  相似文献
6.
溅射技术在制备SiC薄膜中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
近20年以来,薄膜科学得到迅速发展,不仅得益于薄膜材料可能具有力、热、光、电、磁、仿生或化学等各种特性,可以使器件小型化,而且也得益于各种薄膜制备手段的进步.其中,溅射技术已成为几种重要的制备薄膜的手段之一.广泛应用于制备超硬涂层、耐磨涂层、耐腐蚀涂层以及具有电学、光学、半导体等性质的薄膜,SiC薄膜就是其中很有发展前景的一种.本文将介绍溅射原理、薄膜制备技术,着重介绍溅射法在制备SiC薄膜中的应用和前景展望。  相似文献
7.
RF反应溅射法制备高度取向生长的透明多晶ZnO薄膜   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用 RF反应溅射法在普通玻璃衬底上制备了具有良好 c轴取向性的透明多晶 Zn O薄膜 .由 X射线衍射技术 (XRD)分析了样品结构与沉积条件的关系 .溅射气体中 O2 分压比 R(PO2 /PAr)和衬底温度 Ts 对 Zn O薄膜的结构有显著和相似的影响 ,达到最佳点之前 ,这两个参数与Zn O薄膜质量是正相关的 ,随后薄膜质量随 R和 Ts 的增大而急剧下降 .在最佳沉积条件下得到的样品 XRD谱中只有 (0 0 2 )一个衍射峰 ,此衍射峰半高宽 (FWHM)仅为 0 .2 0°,由此计算得到晶粒大小为 4 2 .8nm.同时还发现所有薄膜中都有垂直于 c轴的压应变存在 ,并且随着衬底温度的升高而减小 .由薄膜折射率数据计算得到的薄膜堆积密度达到 97% ,在 30 0~ 10 0 0 nm波长范围内样品的平均透过率达到 92 % ,表明样品具有良好的致密度和透明性  相似文献
8.
9.
主要介绍了研究所20年来在新型薄膜半导体的制备、结构及特性研究方面所取得的成就,尤其是对非晶硅碳和非晶硅硅锗(α-SiC:H和α-SiGe:H)薄膜、金刚石和类金刚石薄膜、立方氮化硼(c-BN)薄膜、β-C3N4薄膜和富勒烯薄膜的研究工作取得了重要成果,不少工作已达到国际先进水平,发表论文300余篇。  相似文献
10.
报道了金属Au或Pt与MoO3薄膜形成的肖特基结对MoO3薄膜光致变色的增幅作用。纯粹的MoO3薄膜只对紫外光有响应,但经过阴极极化处理后,薄膜就有产生可见光变色效应。为了提高变色效率,在薄膜表面蒸镀一层金属Au(或Pt),MoO3薄膜的紫外和可见光致变色能力都有大幅度提高。这可用金属Au或Pt与MoO3之间形成的特殊结构-肖特基结来解释。Pt与MoO3的Fermi能级差大于Au与MoO3的Fer  相似文献
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