Co(Ⅱ)配位超分子的水热合成、晶体结构及光物理性能

采用水热方法合成了1个Co（Ⅱ）配合物[Co（p-Cl-C6H4COO）2（phen）（H2O）2].通过单晶X-射线衍射确定了该化合物的分子结构.结构分析表明,该配合物是由分子间氢键将分子连接成一维氢键链,相邻的一维链间通过π-π堆积作用将1D链伸延成2D结构.采用表面光电压光谱（SPS）及场诱导表面光电压光谱（FISPS）技术研究了配合物的表面光伏性能.结果表明配合物在300-600 nm范围内呈现出正的表面光伏响应.同时对该化合物的UV-VIS-NIR和IR光谱进行了测定和分析指认.  

掺铝氧化锌ZAO(ZnO:Al)薄膜研究

描述ZAO(ZnO∶Al)薄膜的晶体结构,论述ZAO薄膜的光学、电学性质与其结构的关系,介绍了掺铝氧化锌ZAO薄膜的各种制备方法,并总结了ZAO薄膜在各种领域中的应用.提出了薄膜材料研究的关键问题以及今后的发展方向.  

ZAO透明薄膜厚度对其导电膜性能的影响

研究了薄膜的结构性质、光学和电学性质随薄膜厚度的变化关系.制备的ZnO:Al薄膜具有(002)面的单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构,性能优良的薄膜电阻率为4.9×1 0-4Ω.cm,平均透射率达到了88%.  

有机太阳能电池无铟透明电极的光电性能研究

以氧化锌铝陶瓷靶为溅射源,采用射频磁控溅射方法制备了铝掺杂氧化锌(AZO)无铟透明导电薄膜,通过X射线衍射仪、分光光度计和四探针仪等测试分析,研究了基板温度对薄膜晶体结构、力学和光电性能的影响.结果表明:所制备的AZO薄膜均为六角纤锌矿结构,并具有(002)择优取向,其晶体结构、残余应力、方块电阻、光学带隙以及优良指数等都与基板温度相关,当温度为400℃时,AZO薄膜的优良指数最大(0.40-Ω1),具有最好的光电综合性能.  

氧化锌透明导电膜的光电性能研究

采用磁控溅射法在载玻片上制备出Al3 掺杂型ZnO透明导电薄膜.对不同厚度薄膜的光电性能进行了研究.结果表明,所制备的薄膜随着厚度的增加,透过率略有下降;ZnO薄膜在可见光区的吸光度很小,对可见光几乎不吸收.  

染料敏化后ZnO超微薄膜的光电性能

采用直流气体放电活化反应蒸发沉积法，成功制备了ＺｎＯ超微薄膜。通过ＳＥＭ、紫外吸收光谱对ＺｎＯ超微薄膜性质进行了分析。采用罗丹明－Ｂ、叶绿素铜钠盐等染料对ＺｎＯ超微薄膜进行敏化，制作了光电化学电池。对敏化剂的特性进行了研究，实验证明罗丹明－Ｂ是很好的敏化剂。获得单位面积的最大开路电压为２２６ｍ Ｖ，最大短路电流为２２μＡ。  

超细金颗粒增强9—顺视黄醛光电性能机理的探讨

９－顺视黄醛可以经形成去质子化的席夫碱来模拟天然的细菌视紫红质，但是其光电流和稳定性都较低，通过在其中掺杂超细金颗粒可以显著提高其光电性能。利用石英晶体微平衡、循环伏安法和吸收光谱等分析方法初步研究了纳米金颗粒作用的机理，认为金颗粒与９－顺视黄醛质子化席夫碱ＬＢ膜结合可形成新的更为稳定的络合物，影响了席夫碱的氧化还原电位，并且加速了跨膜电子的传输，从而明显地改善了光电性能。为在人工视网膜及分子电子  

氧等离子体表面处理对ITO薄膜的影响

利用原子力显微镜检测ITO薄膜的微观表面形貌以及微观区域电性能,研究氧等离子体处理对ITO薄膜的表面形貌及导电性能的影响,从微观上探讨氧等离子体处理对ITO薄膜的影响.经过氧等离子体处理,ITO薄膜的平均粗糙度从4.6nm减小到2.5nm,薄膜的平整度得到提高;但氧等离子体处理之后,ITO薄膜的导电性能大大下降,原因在于ITO薄膜表面被进一步氧化使得ITO薄膜表面的氧空位减少.上述结果从微观上解释了氧等离子体处理能够改善有机发光二极管光电性能的原因.  

双偶氮电荷产生材料的合成及光电性能

以2-(4'-氨基苯基)-6-氨基苯并噁唑为重氮组分、N-苯基-N'-(2-羟基-3-萘甲酰基)脲及其衍生物为偶合组分,设计并合成了6种苯并噁唑类双偶氮化合物.紫外吸收光谱、红外吸收光谱和元素分析结果表明所合成化合物结构与组成正确.以合成的双偶氮化合物为电荷产生材料,以CT-191为电荷传输材料制成有机光导电器件.光电性能测试结果显示,以N-(2-甲基苯基)-N'-(2-羟基-3-萘甲酰基)脲为偶合组分合成的双偶氮化合物的光电性能最佳,V0=600 V,VR=30 V,Rd=15 V/s,E1/2=3.5 lx.s。  

沉积电位对ZnO薄膜结构及光电性能的影响

以硝酸锌溶液为电解液,采用电化学沉积方法,在导电玻璃(ITO)上制备ZnO薄膜.使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜对制备的ZnO薄膜结构和形貌进行表征,并研究薄膜的光电性能.结果表明,通过该方法制备的ZnO具有标准的六方纤锌矿纳米柱状结构,沉积电位为-0.75、-0.80、-0.85 V时,制备的ZnO纳米柱的直径分别为250、400、500 nm,禁带宽度分别为3.12、3.27、3.29 eV,光电流密度分别为1.18、1.07、0.89μA.cm-2.