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1.
酰腙化合物的分类、配位和性质   总被引:14,自引:0,他引:14  
综述酰腙化合物的种类,酮式、烯醇式、单齿和多齿配位形式,生物和药物活性及非线性光学性质。  相似文献
2.
有机-无机杂化纳米材料的制备、表征及性质   总被引:12,自引:10,他引:2  
利用低温固相反应首次制备了 [(CH3 ) 4 N] 3 PW12 O4 0 ·6H2 O(Ⅰ ) ,[(CH3 ) 4 N] 6P2 Mo18O62 ·9H2 O(Ⅱ ) ,[HMTAH2 ] 2 ·SiW12 O4 0 ·7H2 O(Ⅲ )等纳米粒子 ,并用红外光谱、透射电镜、X射线粉末衍射等手段进行表征 .结果表明 ,粒子大小均一 ,平均粒子直径为 4~ 8nm ,并具有潜在的电荷转移盐性质及非线性光学性质 .  相似文献
3.
取代查尔酮衍生物非线性光学性质的FF/PM3理论计算   总被引:10,自引:5,他引:5  
利用有限场FF/PM 3方法讨论了查尔酮类化合物的非线性光学性质 ,针对不同取代基和取代位置系统分析了分子结构、取代基的类型、取代位置对共轭有机分子电子性质及非线性光学性质的影响 .结果表明 ,取代基的引入可明显改善体系的非线性光学性质  相似文献
4.
运用INDO/CI和NDDO方法,计算并比较了8-羟基喹啉(QH)分子及其衍生物MQH,CNQH的电子光谱,计算结果和实验吻合。在正确的光谱计算基础上,用INDO/CI-SOS公式计算核系列分子的二阶非线性光学系数βijk和βμ,考察了分子电子结构对βμ的影响。  相似文献
5.
ITO薄膜的光学和电学性质及其应用   总被引:9,自引:0,他引:9       下载免费PDF全文
介绍了氧化铟锡(ITO)薄膜的光学和电学性质及应用。优化的ITO薄膜有立方铁锰矿结构。掺杂的Sn替代In2O3晶格上的In原子,每个Sn原子可以看作给导带提供一个自由电子。ITO薄膜载流子浓度为-10^20cm^-3,电阻率为-10^-4Ωcm,是高度简并半导体,其能带为抛物线型结构。由于Burstein-Moss效应,光学能隙加宽。除了紫外带间吸收和远红外的声子吸收,Brude理论与ITO的介电常数实际值符合得很好,说明自由电子对ITO薄膜的光学性质有决定性作用。由于ITO薄膜优异的光学和电学特性使它日益获得广泛应用。  相似文献
6.
针对水杨醛缩苯胺类夫碱及其衍生物的非线性光学性质进行了理论研究。有限场FF/PM3方法的计算结果表明:该类化合物具有良好的非线性光学性质,尤其是三阶性质;具有内氢键的水杨醛缩苯胺二阶超极化率最大。  相似文献
7.
CVD法TiO2薄膜的制备条件及光学性质的研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
以四异丙醇钛为钛源物质,采用常压化学气相沉积法制备了TiO2膜,并对其光学性质进行了研究。实验结果表明,:沉积条件是影响TiO2膜的沉积率和光学性质的重要因素。  相似文献
8.
热处理对直流磁控溅射ITO薄膜光电学性质的影响   总被引:6,自引:4,他引:2  
利用直流磁控溅射在石英衬底上沉积透明导电的掺锡氧化铟(ITO)薄膜,在相同条件下制备了两种不同溅射时间(30、10min)的样品,样品在400℃的大气中进行1h退火处理.利用分光光度计测量薄膜的正入射透射光谱,并拟合透射光谱得到薄膜的折射率、消光系数及厚度;用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质,包括载流子浓度、载流子迁移率和电阻率.实验结果显示退火处理对ITO薄膜的光学、电学性质有重要影响,退火样品在可见光区域的透过率明显提高,且光学吸收边向长波方向移动;然而,退火前薄膜的电学性能更好.  相似文献
9.
7-羟基-4-甲基香豆素的二阶NLO性质对晶体结构的依赖性   总被引:4,自引:0,他引:4  
研究了7种香豆素衍生物的二阶非线性光学性质,在理论和实验上分析了7-羟基4-甲基香豆素的二阶非线性光学性质对晶体结构的依赖性,表明这是一类热稳定性高、透光性好的化合物,分子在晶体中的趋向对二阶非线性光学响应有重要影响,改良其晶体结构是提高这类材料综合性能的主要手段.  相似文献
10.
热处理条件对热蒸镀WO3薄膜结构的影响   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用高真空热蒸发沉积技术在硅单晶Si(111)衬底上沉积了WO3薄膜,借助化学刻蚀,SEM,XRD和Raman光谱分析等手段,了不同的热处理条件对WO3薄膜结构的影响,结果表明,在真空条件下或干燥Ar气氛条件下对薄膜进行退火热处理有利于控制薄膜晶粒的生长,同时有利于增强薄膜的稳定性。  相似文献
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