半连续金属膜在中断蒸镀后的电阻弛豫研究

在超高真空的环境中蒸镀半连续铌（Ｎｂ）膜和银（Ａｇ）膜，中断蒸镀后，立即原位测量样品电阻在１０ｍｉｎ内随时间的变化（弛豫现象）。发现Ｎｂ膜和Ａｇ膜分别表现出电阻升高和降低的不同行为，而且基底温度和膜厚对弛豫强度都有较大的影响。分析表明，这些现象是由膜表面金属原子运动引起的岛的吞并以及岛的边际形变引起的     

脉冲激光作用下金属反射镜热力耦合数值模拟

利用有限元法对单脉冲激光作用下铜基Ni/Au反射镜的热力耦合以及温度场分布进行了数值模拟,得出了在不同功率的单脉冲激光照射下的温度场和应力分布,并对脉冲功率密度与镜面最大温升以及膜层最大应力的关系进行了分析.     

金属膜对L-缬氨酸发酵液过滤的研究

研究了金属膜过滤的各种操作参数对L-缬氨酸过滤效果的影响，综合各方面的因素确定了最适工艺条件：进出膜压力分别为4．0MPa和3．0MPa，过滤温度为25℃，过滤液pH为3．0。在此操作条件下，蛋白质去除率达到87．36％以上，色素去除率达48．61％，L-缬氨酸收率达90．2％。     

LTCC电路基板大面积接地钎焊工艺设计

提出了一种提高LTCC电路基板大面积接地钎焊的钎着率及可靠性的钎焊工艺设计．在LTCC电路基板接地面设置（Ni＋M）复合金属膜层，根据试验测试比较，其耐焊性（〉600s）明显优于常规金属化接地层（常规要求〉50s）；在LTCC电路基板的接地面的一端预置“凸点”，通过X射线扫描图对比分析，增加“凸点”的设计提高了大面积接地钎焊的钎着率．研究表明：新的钎焊工艺设计保证了LTCC电路基板大面积接地的钎焊可靠性和一致性．     

氮化铝薄膜对金属膜电阻器性能的影响

本文采用射频反应溅射法在电阻瓷体表面和微晶玻璃片上淀积一层具有择优取向的A1N薄膜,然后再在其上淀积金属电阻膜(80％Ni,20％Cr)或Fe-Al-Si-Cr合金粉。对电阻器进行了功率老化、高温存贮、热冲击、短时过载等可靠性试验,测量了其TCR和表面温升。由于A1N材料的优良导热和钝化特性,使具有A1N薄膜的电阻器性能得到很大提高。文中还讨论了A1N材料改善电阻器特性的微观机理。     

角度调制型SPR传感器复合金属膜结构的设计

采用MATLAB数值模拟,分析Au,Ag两种材料对于角度调制型表面等离子共振(SPR)传感器性能的影响;同时,根据Au和Ag的各自特性,提出一种Ag/Au复合膜结构的设计,并对该复合膜结构的SPR传感器性能进行数值分析.研究结果表明:角度调制型SPR传感器的最低反射率受金属膜厚度的影响较大,在Au,Ag膜厚度分别为52,38nm时,其共振强度最强,最小反射率值达到最小值;选择Ag/Au复合膜总厚度为50nm(其中Ag膜厚度为20nm),可以大大改善传感器的性能,且由于Au膜处于复合膜的外层,可以保持传感器较好的稳定性.     

低温光化学生长金属钯薄膜研究

报道了新一代紫外光源--激发态双分子(Excimer)紫外光源在制备金属薄膜材料方面的应用研究.金属钯是一种优良的催化剂,首先在各种衬底如Al2O3、AIN、玻璃以及聚合物等上面淀积钯的金属有机化合物薄膜,通过紫外光分解钯的金属有机化合物,形成数埃到几十埃的钯膜,然后再利用钯的催化效应,在无电极电镀液中淀积出几十纳米到几微米厚的各种金属薄膜(如Cu、Au、Ni等).     

微絮凝-金属膜净水组合工艺中膜污染机理探析

采用微絮凝-金属微滤膜组合工艺处理微污染水,借助X射线能谱、电镜扫描等微观表征以及动态膜污染数学模型等方法,对微絮凝-金属膜组合工艺运行方式与膜污染机理进行研究.试验结果表明组合工艺对微污染水的浑浊度、UV254以及CODMn平均去除效率分别为97.6%、80.0%和63.1%.选用0.3μm金属膜滤芯时,采用恒通量过滤模式,膜比通量随着通量的增加逐渐从44.44L·(m2·h·kPa)-1增至58.33L·(m2·h·kPa)-1;采用恒压过滤模式,膜比通量随着压力的增加逐渐从47.91L·(m2·h·kPa)-1降至17.63L·(m2·h·kPa)-1,金属膜在恒通量运行时的膜比通量高于恒压运行,说明恒通量运行时膜阻力增长较为缓慢.通过X射线能谱分析膜表面污染物中含有O、Al和Si等元素,推断膜表面主要污染物是硅酸铝盐;通过电镜扫描与动态膜污染数学模型模拟的结果表明,金属膜膜污染的主要形式为滤饼层污染.     

新型金属热覆膜技术解析

如今不锈钢板、铜板等贵重金属已经广泛应用于各个行业,但因其成本高昂而未在社会中被大量推广,但是新型金属热覆膜技术的产生可以填补这一缺陷。本文就金属热覆膜技术这一新型产品,浅显地分析了金属热覆膜机组的工作原理、设备组成以及发展前景。     

利用喷砂射流技术精调金属膜电阻器精度

精密金属膜电阻器的制造,目前国内普遍使用的是机械螺纹刻槽机,刻阻控制精度±0.5％以内,先进的激光螺纹刻槽机应用较少,其刻阻控制精度在±0.1％以内。电阻器刻槽后,随着生产工序的流转,阻值有所漂移,最终阻值精度只能控制在±1％左右,可满足普通或半精密电阻器的技术要求,而对最终阻值精度要求±1％～±0.02％范围的精密电阻器只有刻槽后再经过阻值精调(俗称二次调阻),才能满足最终的阻值精度要求。1.阻值精度精调方法