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1.
反激式变换器的电磁干扰分析 总被引:1,自引:0,他引:1
应用频域分析方法,对给定输入、输出电压及输出电流,并工作于临界连续模式下的反激式变换器进行分析。着重分析了占空比变化对输入电流、输出电流、开关管压降及交变磁通谐波的影响,为在产品的设计阶段尽可能减小电磁干扰信号提供了理论依据。 相似文献
2.
林玉枝 《福州大学学报(自然科学版)》1996,(5):31-34
给出直流辉光放电等离子体的一维磁流体力学(MHD)方程组及其稳态的差分方程和边界条件,并利用计算机计算、作图给出等离子体的电位、电子密度、离子密度、电子速度和离子速度的一维空间分布曲线.最后对计算结果进行讨论 相似文献
3.
在一个PC基高速高分辨率仪器卡上实现超低平均功耗器件的I-V曲线测量.采集512个数据只要51.2μs,避免因过高平均功耗而损坏器件.PC基仪器卡自带时钟和单斜波电压产生器,使用功能为18MHz取样率和10bit分辨率的A/D器件和存取时间为15ns的缓存存贮器,分辨率优于一般存储示波器,测量系统对PC/XT以上的微机兼容.系统还可进行多通道瞬态测量,用于同步分析多通道窄脉冲信号,一个软件包可以完成所有的控制、测量与数据处理. 相似文献
4.
研究用电子束蒸发方法把Si淀积在GaP表面的界面生长过程。用XPS在线测量Si/GaP(111)界面形成过程中各原子芯能级的移动趋势来研究界面原子间的成键情况;借助Ga3p峰强随Si覆盖厚度的变化确定Si的生长模式。还用LEED监测Si生长时的表面结构状态。 相似文献
5.
从散射场时域积分方程出发,导出了一种新的重建非铁磁性不均匀媒质介电常数及电导率剖面的数值计算方法. 相似文献
6.
导出了非线性聚焦梯度折射率光纤中高斯光束模式变换的新公式。数值结果表明,足够大的入射光束的功率对模式变换有显著影响。 相似文献
7.
指出NTC-热敏电阻与电阻组成的并串联电路存在一段线性工作温区,并给出温区中点位置及阻值随温度变化率或微分电阻的计算公式。此外,介绍中点线性化方法在FTC-4型高精度温度变送器中的应用。 相似文献
8.
对GaAs光电阴极激活过程中各阶段做了X射线光电子谱(XPS)表面分析,根据XPS分析所得数据,改进了激活工艺,提出了获得更好发射性能的光电阴极的最佳Cs和O2量,并提出了Cs和O2在GaAs表面排列的模型. 相似文献
9.
甘资先 《福州大学学报(自然科学版)》1990,(3):40-45
本文提出了洛仑兹力的三种力效应形式.应用第一种形式导出了安培定律,同时从导出定律的过程说明安培力的机理.接着提出霍尔效应的新观点和机理,并进行了计算.最后利用本文观点对太阳黑子平衡问题进行了计算,计算结果表明理论值与实际测值极好地吻合. 相似文献
10.
邱荣 《福州大学学报(自然科学版)》1990,(3):126-128
由加速系中的动力学基本原理可推导出:式中:这便是加速系一般形式的哈密顿原理.推导过程虽未考虑非完整约束,(1)式对非完整约束仍有效.1 对于完整约束 设微分运算和变分运算δ的关系为:则由(1)式得: 如δ’A=-δV,V为势能,又因变分是等时的,对完整系统而言,积分运算和变分运算可交换,并令L=T-V,则(2)式成为:我们称S=Ldt为加速系的作用量.于是(3)式可写成δS=0.这是加速系完整有势系统的哈密顿原理的数学表达式. 如广义力可分为无势的;与有势的两部分,并令则(1)式可写成如要将(4)式表示成(3)式的形式,必须取因而要取dδ的关系为:式中L2、… 相似文献