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1.
在GaAs单晶衬底上用分子束外延技术生长了GaSb薄膜,并用原子力显微镜和XRD技术分析了其结构特征.其结果可为生长优质的大失配太阳能电池材料提供一点参考.  相似文献   
2.
在GaAs单晶衬底上用分子束外延技术,采用相同工艺生长了非掺杂及掺Te的GaSb薄膜.以原子力显微镜、X射线衍射谱和正电子湮没谱技术对比分析了样品的结构及缺陷.研究表明,样品在掺Te后在界面处缺陷减少,外延生长较好.并分析其缺陷的产生机理.  相似文献   
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