自由边界条件的无规混合圆形磁性系统磁特性的微磁学研究

采用能量极小原理的微磁学方法对铁磁/反铁磁无规混合圆形磁性系统进行模拟计算,研究自由边界条件下该系统的磁特性.发现系统存在M-H磁化曲线的阶梯效应,并解释了小自旋的反铁磁耦合是产生这一现象的根本原因,同时,解释了自由边界条件下系统的平均自由度较周期边界条件下系统的自由度大是产生阶梯数目增多的原因.     

硫化温度对两步法制备FeS2薄膜成分和结构的影响

首先采用真空热蒸发法在玻璃基片上沉积厚度约为500 nm的铁膜,然后对铁膜在温度为553~673K的条件下恒温硫化6 h,制备F eS2薄膜.对制备的薄膜进行X射线衍射和显微结构分析,发现:合适的硫化温度为603~653 K,所得薄膜为单一物相的F eS2薄膜,n(S)/n(F e)值为1.94~1.96,接近理想化学配比,薄膜晶粒大小均匀,表面致密.     

自由边界条件的二维无规混合磁性系统磁特性的微磁学研究

采用能量极小原理的微磁学方法对异类自旋组成混合Heisenberg自旋体系进行模拟计算，研究比较自由边界条件和周期边界条件下的二维铁磁／反铁磁无规混合系统的磁特性，发现在自由边界条件(FREE)和周期边界条件(PERIOD)下的二维无规混合磁性系统的M—H磁化曲线的阶梯效应中存在异同。通过二维Ising模型和自旋组态的研究，解释自由边界条件下系统的平均自由度较周期边界条件下系统的自由度大是产生阶梯效应差异的原因。     

FeS2薄膜成分与Fe膜硫化温度的关系

采用真空热蒸发法在玻璃基片上沉积厚度约为500 nm的铁膜,然后对铁膜在温度为553~673 K的条件下恒温硫化6 h,以制备二硫化铁薄膜.通过对所制备的薄膜进行结构和成分分析发现,当硫化温度为603~653 K时,Fe膜硫化完全,所得薄膜为单一物相的FeS2薄膜,薄膜晶粒大小均匀,表面致密,S/Fe值为1.94~1.96,接近理想化学配比.     

掺钴氧化锌中氢原子结构稳定性和振动性质的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法研究了掺钴氧化锌稀磁半导体中氢原子结构稳定性和振动性质.给出了氢各种可能存在的位置,并分析了其稳态及亚稳态几何位型,同时为实验研究提供了其对应的振动频率及O—H键长.基于氢原子具有轻的质量,在振动频率计算中考虑了非谐项的影响.     

C掺杂ZnO稀磁半导体的磁特性研究

利用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,研究C掺杂ZnO稀磁半导体的磁性质.发现ZnO∶C体系的磁性来源于C-p和Zn-d轨道之间的杂化,铁磁性产生的机制是以巡游电子为媒介的铁磁交换作用.富O环境下制备ZnO∶C样品能够更好地在室温下得到稳定的铁磁有序.     

Al和氧空位对ZnO:Co稀磁半导体磁性质的影响

利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了Al共掺杂和氧空位缺陷对Co掺杂ZnO磁性质的影响,发现Al原子共掺杂引入的自由电子载流子会稳定体系的反铁磁性从而减弱Co原子间的铁磁性交换,而氧空位缺陷束缚的电子载流子对提高体系的铁磁性具有积极的作用.氧空位引入的电子载流子部分转移到Co原子和近邻Zn原子,形成以电子载流子为媒介的Co原子间的耦合作用,稳定体系的铁磁态,增强Co原子间的交换耦合作用.