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研究H—,—O—,F—三种基团在Ti3C2表面的吸附, 通过密度泛函理论模拟计算吸附后结构的电子性质和量子电容. 结果表明: 3个相邻C原子中心处的正上方是最佳吸附位; 基团吸附可调制Ti3C2的电子结构; Ti3C2表面吸附H—基团的量子电容提升效果最好, 且在负偏压下具有较高的电荷积累能力. 相似文献
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