^3He（^4He）-H2碰撞体系的相互作用势及微分散射截面的理论研究

运用量子化学从头计算方法,在CCSD（T）／aug—cc—pvtz和CCSD（T）／cc-pvtz理论水平下,计算了^3He（^4He）-H2相互作用能数据,采用Murrell—Sorbie势函数（M-S势）拟合了^3He（^4He）原子与H2分子各向异性相互作用势,并用公认精确度较高的密耦方法计算了^3He（^4He）-H2碰撞体系的微分散射截面,总结了微分散射截面的变化规律。研究表明：拟合势不但表达形式简洁,而且较好地描述了^3He（^4He）-H2体系相互作用的各向异性特征。     

静电平衡时导体表面带电极限的经典讨论

０引言导体在静电平衡时所具有的性质之一是导体内部处处没有未抵消的净电荷（即电荷的体密度ρｅ＝０），电荷只分布在导体的表面［１］。由此可以提出下面的问题：当导体表面原子的价电子全部失去了以后，如果再继续充正电，则内部原子就要开始失去电子，产生的正电荷将...     

He—H2（D2、T2、HD、HT、DT）碰撞体系积分截面的理论计算

采用量子化学从头计算方法,在CCSD（T）／AUG—CC—PV5Z＋bf（3s3p2d1f）水平下,计算了He—H2（D2、T2、）碰撞体系在不同入射角时的相互作用能数据,运用质心变换一拟合方法、采用Tang—Toennies势模型和非线性最小二乘法拟合、构造了He—H2（D2、T2、HD、HT、DT）碰撞体系各向异性势在不同方向上的径向系数和振转相互作用势。通过密耦近似方法计算了入射原子能量分别为60、90和120meV时,各碰撞体系的积分截面。根据计算结果,进一步分析讨论了积分截面随体系约化质量和入射能量变化的规律及各类积分截面的特点。     

DBr分子基态(X~1Σ~+)的结构与势能函数

用量子化学计算方法CCSD和QCISD,分别在基组6-311++G**和TZV下,优化计算了DBr分子基态的平衡结构和离解能,得到的平衡核间距与实验值基本吻合.采用标准Murrell—Sorbie函数进行非线性最小二乘法拟合,得到了DBr分子势能函数的解析表达式,并进一步计算出DBr分子的力常数及光谱常数.     

DF分子基态(x~1∑~+)的量子化学从头计算

用ab in itio计算方法:CCSD(T)/6-311++G**,CCSD(T)/cc-pvdz,QC ISD(T)/6-311++G**,QC ISD(T)/cc-pvdz,对DF分子的基态进行优化计算,优化的平衡间距分别为0.091 599 872nm,0.091 971495nm,0.091 623 623nm,0.091 978 183nm,与实验值0.091 694 000nm基本吻合,误差小于0.000 28。采用标准Murrell—Sorb ie函数用非线性最小二乘法拟合,得到了DF分子势能函数的解析表达式,通过De、a1、a2、a3计算出力常数及光谱常数,计算数据与实验数据吻合得相当好。     

HBr分子基态(X~1∑~+)的分子结构与势能函数

用量子化学计算方法CCSD和QCISD,分别在基组6-311++G**和TZV下,优化计算了HBr分子基态的平衡结构和离解能,计算结果与实验数据吻合.采用标准Murrell-Sorbie函数进行非线性最小二乘法拟合,得到了HBr分子势能函数的解析表达式,并进一步计算出HBr分子的力常数及光谱常数.     

用落球法测定液体粘滞系数的实验条件选择及结果修正

从对斯托克斯定律成立条件的分析入手 ,对用落球法测定液体粘滞系数的实验条件选择及结果修正进行了理论探讨。     

Ar-HCl体系各向异性相互作用势及转动激发微分截面的理论研究

首先用gaussion03程序在CCSD(T)/aug-cc-pVQZ理论水平下计算的Ar-HCl相互作用能数据,得到了Ar原子与HCl分子各向异性相互作用势;并与HWK势进行比较,验证了拟合势的可靠性;然后采用公认的精确度较高的CC近似方法计算了Ar-HCl碰撞体系能量在100meV下Ar原子和HCl分子碰撞的转动激发微分截面,总结了该碰撞体系非弹性微分散射截面的变化规律。     

在《工程制图与计算机绘图》课程教学中培养创新能力

培养大学生的创新能力是新世纪教育工作者的光荣任务,文章分析了《工程制图与计算机绘图》课程的性质和特点,从教学方法、问题研究、训练与实践等方面对大学生创新能力的培养进行了有益的讨论。     

3He、 4He与H2 、D2、 T2碰撞(E=0.5 Ev)分波截面的理论研究

用密耦近似（Close—Coupling）方法和Tang—Toennies势模型计算了入射能量E=0．50eV情况下,氦原子的两种同位素（^3He、^4He）与H2及其同位素D2、T2替代碰撞体系的振转激发碰撞截面．通过分析各碰撞体系分波截面的差异,总结出在对称同位素替代情形下^3He、^4He与H2、D2、T2碰撞体系分波截面随量子数增加和体系约化质量的变化规律．结果表明,体系的约化质量变化给体系的碰撞截面带来不同程度的影响．