首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2篇
  免费   0篇
综合类   2篇
  2018年   2篇
排序方式: 共有2条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
采用真空热蒸发制备了 AlQ, BAlQ 和 NPB 有机半导体薄膜样品, 探讨了薄膜的透射、吸收和光学性质.制备了有机薄膜样品的夹心结构器件,研究了其电流-电压特性.结果表明: 有机薄膜的透明性能良好, AlQ 和 BAlQ 具有几乎相同的直接光学能隙(4.46 eV) ,大于 NPB 的能隙值(3.11 eV) . AlQ, BAlQ 和 NPB 内部自由载流子浓度具有相同的数量级(1022 m-3) ,但NPB 具有最高的零电场迁移率(1.75×10-8 cm·V-1·s-1) 和电导率(1.45×10-10 S·cm-1)  相似文献   
2.
采用磁控溅射方法制备了镓镁锌氧化物(GaMgZnO) 透明导电薄膜,通过 X 射线衍射仪、四探针仪和分光光度计的测试分析,研究了沉积温度对 GaMgZnO 薄膜微观结构和电光性能的影响.结果显示: 所制备的样品均为六角纤锌矿结构的多晶薄膜并具有c轴择优取向生长特点,其结晶质量和电光性能与沉积温度密切相关.当沉积温度为 550 K 时,GaMgZnO 薄膜的晶粒尺寸最大(51.72 nm) 、晶格应变最小(1.11×10-3)、位错密度(3.73×10-3line·m-2) 、电阻率最低(1.63×10-3 Ω·cm) 、可见光区平均透过率(82.41%) 、品质因数最大(5.06×102 Ω-1·cm-1) ,具有最好的结晶质量和光电综合性能.另外采用光学表征方法 获得了薄膜样品的光学能隙, 结果表明由于受 Burstein-Moss 效应的影响,GaMgZnO薄膜的光学能隙均大于未掺杂ZnO的数值.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号