GaN LED量子阱光发射模型

在分析GaN LED量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制Stark效应和Franz-Kddysh效应,提出了一种基于InGaN有源区的载流子复合及光发射模型.模拟结果表明LED的光发射效率和波长依赖于有源区In组分变化引起的势能涨落和阱尺寸,并得到LED发光波长红移的原因为：非故意掺杂引入新的施主能级和受主能级,新能级之间以小于带隙的能量跃迁;Franz-Keldysh效应随阱厚的增加而加强;压电极化和自发极化形成的内电场在空间上将电子和空穴隔开,但电子和空穴波函数的交叠允许它们在较低的能级上辐射复合;以及带边吸收的影响.     

温拌沥青混合料压实特性研究

通过温拌剂EC120对ES70#基质沥青进行改性,对温拌改性沥青进行等粘温曲线研究,通过粘温曲线确定的温度对温拌混合料拌合及压实特性进行研究.研究表明:EC120温拌改性剂的合理掺量为沥青质量的3%,掺入3%温拌改性剂的沥青的135℃粘度降低近50%,而温度在60℃时的粘度要比基质沥青的大5倍多,掺入3%温拌改性剂的沥青混合料拌和与压实温度比普通沥青混合料的施工温度要降低20～30℃.因此,EC120温拌改性剂是一种能有效降低沥青施工粘度、提高沥青高温稳定性的外加剂,同时又是一种节能、环保的材料.     

STM在Au表面上的超微加工

论述了在大气状态下扫描隧道显微镜STM在Au表面上的电场加工实验，实验分析表明：对表面结构的超微加工主要是准机械接触近场放电作用。     

具有生物活性有机磷化合物研究ⅩⅩⅡ .S-烯丙基、S-丙二烯基硫赶磷酸酯的合成与杀虫活性

利用［３,３］重排反应分别将烯丙氧基不对称硫逐磷酸酯和炔丙氧基不对称硫逐磷酸酯转化成Ｓ－烯丙基硫赶磷酸酯和Ｓ－丙二烯基硫赶磷酸酯,用元素分析、ＩＲ、ＮＭＲ和ＭＳ对合成的硫赶磷酸酯进行表征,并进行了杀虫活性试验,初步研究了它们的构效关系．     

单片机在水泥配料系统中的应用

针对一般中、小水泥厂配料的要求，介绍了一种新型的智能化数据采集和调控装置。该装置以80C196KC单片机为核心，用LED数码管显示，通过小键盘可方便地修改石灰石、煤炭、黄土、铁粉等的配比。本装置结构简单，调节方便，性能价格比高。     

炔丙氧基不对称硫代磷酸酯硫逐－硫赶热力学重排反应研究

Ｏ－芳基－Ｏ－甲基－Ｏ－炔丙基不对称硫代磷酸酯分别在苯、甲苯、对二甲苯溶剂中加热回流条件下,通过［３,３］硫逐－硫赶热力学重排反应,合成了一系列未见文献报道的Ｏ－芳基－Ｏ－甲基－Ｓ－累积二烯基不对称磷酸酯新化合物,其结构均得到ＩＲ、１ＨＮＭＲ、３１ＰＮＭＲ、ＭＳ的证实．     

浅要分析混合砂混凝土耐久性能

本文主要从混凝土抗渗性、耐化学侵蚀性、抗冻性等方面分析了影响混凝土结构耐久性的因素。     

新型程控数子计时器

介绍了用单片机为核心部件的新型程控数字计时器的系统原理与设计方案,该数字计时器与普通数字毫秒计比较具有明显的优越性,其应用范围更广泛。     

深亚微米MOSFET的蒙特卡罗快速模拟

用蒙特卡罗-泊松方程自洽求解的方法,对深亚微米金属-氧化物-半导体场效应晶体管--MOSFET的电特性进行了模拟.在泊松方程的求解上,使用了矩阵法,与一般的迭代方法相比,求解速度得到了极大的提高.为减少自散射的次数,用阶梯自散射方案求电子的自由飞行时间.这两个措施的实施,减小了蒙特卡罗模拟时间,加快了模拟速度.模拟中主要考虑了电离杂质、声学形变势、表面粗糙散射和电子谷间散射四种散射机制.模拟的MOSFET输出特性曲线和电子速度在沟道中的分布与报道的相关结果符合得很好.     

一种新的CMOS带隙基准电压源设计

设计了一种新的CMOS带隙基准电压源.通过采用差异电阻间温度系数的不同进行曲率补偿,利用运算放大器进行内部负反馈,设计出结构简单、低温漂、高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源.仿真结果表明,在VDD=2 V时,电路具有4.5×10-6V/℃的温度特性和57 dB的直流电源抑制比,整个电路消耗电源电流仅为13μA.