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1.
采用基于第一性原理方法对Ca_2Si和Al掺杂Ca_2Si的能带结构、态密度和光学性质进行计算.结果表明Al掺杂引起了晶格结构畸变,晶胞体积增大;Al掺杂Ca_2Si使得费米能级插入价带中,Ca_2Si导电类型变为P型半导体,禁带宽度由未掺杂时的0.26减小到0.144eV,价带主要由Si的3p,Al的3p以及Ca的4s和3d共同贡献,导带主要由Si的3p态贡献;光学性质的结果显示,由于Al掺入,ε1(0)值增大,ε2(ω)向低能端移动,吸收系数、复折射率增大,反射率减小.  相似文献   
2.
采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法对Ca2Si和Al掺杂Ca2Si的能带结构、态密度和光学性质进行计算。结果表明Al掺杂引起了晶格结构畸变,晶胞体积增大;费米能级插入价带中,Al掺杂Ca2Si变为P型半导体,禁带由未掺杂时的0.26eV变为0.144eV,价带主要由Si的3p,Al的3p以及Ca的4s和3d共同贡献,导带主要由Si的3p态贡献;光学性质的结果显示,由于Al掺入,ε1(0)值增大,ε2(ω)向低能端移动,吸收系数、复折射率增大,反射率减小。  相似文献   
3.
在电子产品的封装互连中,镀锡铜元件引脚随时间延长,有锡晶须形成,从而引发电子器件短路,甚至造成电子系统失效.本文针对镀锡铜箔表面的小丘和晶须的生长行为进行研究.首先,用化学镀在铜箔表面镀锡.将镀锡铜箔样品在100 ℃和200 ℃空气中时效8 d,为了便于分析实验结果,将另一组镀锡铜箔样品在室温时效30 d.用扫描电子显微镜观察样品表面形貌,用X射线衍射仪对试样进行晶体结构分析.结果表明:样品在100 ℃时效有小丘和晶须形成,而在200 ℃时效8 d和在室温时效30 d没有晶须形成.晶须生长是由镀层内部存在的压应力梯度引起的,并有一个孕育期.随时效温度的变化,原子扩散速度和镀层的应力松弛不同控制了小丘和晶须的形成.  相似文献   
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