关于丢番图方程x5-x3=Dy3

该文利用初等数论方法及丢番图方程理论，获得了丢番图方程x^5-x^3=Dy^3有正整数解的充要条件及其深刻结果。     

关于丢番图方程x3+y3=pDz2的通解公式

设p >3是素数 ,D是无平方因子且不被 6k + 1形素数整除的正整数 ,运用初等数论方法 ,获得了丢番图方程x3+y3=pDz2 全部整数解的表达式 ,从而获得了方程在D =1,2 ,3 ,6时全部整数解的通解公式及其解的深刻性质 ,从而获得了广义Fermat猜想与Tijdemon猜想的进一步结果     

一种低损耗高耦合片上变压器的设计

采用0.13μm Si Ge Bi CMOS工艺,设计了一种低损耗高耦合的单圈倒装交错层叠结构的片上变压器,这种结构减小了初级线圈与次级线圈间的垂直距离,提高了线圈间的耦合度及线圈的品质因数Q,从而提高了变压器的传输效率。同时对地面层进行了改进,在100 GHz时,耦合因子k从0.81增大到0.95,并探讨了线圈直径d和宽度w对变压器性能的影响。该变压器在89 GHz时Q达到最大值18.5,在30~150 GHz频率范围内耦合因子k为0.65~1,最大可用增益Gmax接近于1,该变压器可应用于毫米波集成电路设计中改善电路性能。