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1.
电子束光刻(electron beam lithography)技术是实现微细栅长的光刻技术之一, 利用电子束光刻技术制备出200 nm栅长GaAs基MHEMT器件. 同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻, 采用3层胶工艺, 实现了T型栅. GaAs基MHEMT器件获得了优越的直流、高频和功率性能, 电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到105和70 GHz, 为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础.  相似文献   
2.
证明了NBUMg寿命分布类关于卷积运算的封闭性,并比较了当元件属于NBUMg寿命分布类时,年龄更换策略的NBUMg性质.  相似文献   
3.
不同敷设位置的毛细管网席对蒙古包内热环境的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
在分析传统蒙古包室内热环境的基础上,为提高传统蒙古包室内热环境的舒适度,利用CFD模拟软件建立以毛细管网为散热末端的热水采暖系统,模拟不同敷设位置的毛细管网席对蒙古包室内热环境的影响。结果表明:在35/30℃的供回水温度下,毛细管网席分别敷设在地面、竖向敷设高度0m、0.3m、0.5m时,室内人员活动区域的平均温度均在16℃以上;室内风速小于0.1m/s无吹风感;地面敷设时室内水平方向温度分布均匀,竖向敷设只有在0.3m时均匀;四种敷设方式垂直方向0.1~1.1m处的垂直温差在3℃以内,但竖向维护结构敷设时0.1m处的温度在15℃左右,不满足规范要求。四种工况下蒙古包内敷设毛细管网席位置的选择可以总结为:地面敷设最优,竖向维护结构敷设时0.3m>0m=0.5m。  相似文献   
4.
以芳香醛、乙酰甘氨酸、马尿酸等为原料合成了8种噁唑酮类化合物,然后经催化醇解反应,以62.5%~94.1%的收率得到α,β-不饱和氨基酸酯类化合物,并利用核磁共振谱(~1H NMR、~(13)C NMR)表征了产物的分子结构.研究了反应温度、催化剂及取代基的不同对产物收率的影响.结果表明,化合物3在100℃,100%(mol/mol)无水乙酸钠催化下反应最佳,吸电子取代基更有利于该反应.化合物4在室温条件下三乙胺催化反应效果最佳.  相似文献   
5.
许军  马亮  王文新 《甘肃科技》2012,28(10):11-13
针对核电设计院工程设计工具软件开发特点,以ISO9001质量管理体系为基础,识别了核电工程设计工具软件开发的9个过程;编制相应程序,制定措施,对开发过程予以控制;提出了重点过程监督、全过程监查的质量保证方法验证开发过程与程序的符合性和有效性.为核电设计院设计工具软件开发过程控制提供了参考模式,该模式对核电工程设计工具软件开发有一定的应用价值.  相似文献   
6.
为了研究室外空气温度、风速风向和太阳辐射耦合作用对供暖期传统蒙古包建筑外表面对流换热的影响。通过采用风速仪以及遮阳与非遮阳两套系统分别对建筑外表面进行了测试。研究了室外空气温度、风速风向以及太阳辐射对建筑外表面对流换热的影响规律。实验结果表明:遮阳系统可以有效地降低太阳辐射,进而减小建筑外表面的对流换热量;同时可以看出,建筑外表面对流换热系数与当地风速呈现指数关系,对流换热系数随风速的增大而增大。研究可以为内蒙古地区传统蒙古包建筑的能耗分析,以及模拟地区风环境和热环境的边界条件提供依据。  相似文献   
7.
先通过射频磁控溅射技术在石英玻璃衬底上得到ZnO种子层,再采用水热合成的方法制备出负载型ZnO纳米晶,并通过X射线衍射(XRD)、室温光致发光谱(PL)及冷场发射扫描电子显微镜(FESEM)对ZnO纳米晶的物相结构、结晶质量及晶粒形貌进行表征.以亚甲基蓝(Methylene Blue, MB)为模型污染物,在紫外光的照射下考察了负载型ZnO纳米晶的光催化特性.实验结果表明负载型ZnO纳米晶粒径基本分布在(10-30) nm 范围内,具有良好的结晶质量且为六方纤锌矿结构.该体系对10 mg/L 的MB溶液,4 h 的降解率可达71%,外加适量的H2O2溶液,其降解率可提高到94%.  相似文献   
8.
恶臭假单胞菌可以利用辛酸为唯一碳源合成中链聚 3 羟基烷酸 (mclPHA)。在摇瓶条件下 ,对辛酸钠浓度、初始 pH、限制营养因子、通气量对菌体细胞生长和PHA积累影响进行了研究。结果表明 ,对菌体生长而言 ,辛酸钠的最适浓度和最适初始 pH分别为 1.2~ 1.3%和 7.0 ,限制NH 4 可以获得PHA的最大积累量 ,高达细胞干重的 74 %。限制通气量有利于PHA合成  相似文献   
9.
通过分析目前高校英语教学中存在的母语干扰这一普遍现象,对比英语和母语思维模式的差异,剖析在语言实践中常见的语言故障、语病等,寻找解决问题的方法。  相似文献   
10.
研究了Cr对(Co,Ta)掺杂的SnO2压敏材料电学性质的影响。当Cr2O3的含量从0增加到0.15mol%时,(Co,Ta)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从206V/mm增加到493v/mm;1kHz时的相对介电常数从1968猛降至498;晶界势垒高度分析表明,SnO2晶粒尺寸的迅速减小是样品击穿电压增高、相对介电常数急剧降低和电阻率迅速增大的主要原因。对Cr含量增加引起SnO2晶粒减小的原因进行了解释。掺杂0.15mol%Cr2O3的SnO2压敏电阻非线性系数为24,击穿电压达498V/mm,在高压保护领域有很好的应用前景。  相似文献   
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