白光OLED技术专利分析

选择"7国2组织"专利数据库,采集2006年1月1日到2009年1月1日期间公开的白光有机发光二极管(White Organic Light-Emtting Diode,WOLED)技术专利文献,建立专利数据库,选择广东专利信息服务平台分析系统,分别从专利申请总量、重点专利技术和重点专利持有人等方面,对白光WOLED技术专利进行了深入的分析,提出了发展我国白光WOLED技术的专利策略。     

高亮度InGaAlP DHLED结构设计的研究

InGaAlP双异质结LED结构设计的目的在于减少器件的光、电、热损耗 本文分析各层成分、层厚度、掺杂浓度以及有关的辅助技术 ,例如厚电流扩展层、电流隔离层、布拉格反射层、金属电镀反射层、透明衬底等对LED性能的影响 ,提出一个性能优良的高亮度LED应具有的结构模式     

现代MOCVD 技术的发展与展望

ＭＯＣＶＤ是一门制造化合物半导体器件的关键技术。本文综合分析了现代ＭＯＣＦＶＤ技术的基本原理,特点及实现这种技术的设备的现状及其发展,重点讨论了能实现衬底温度,衬底表面反应源流均匀性的立式高速涡轮转盘ＭＯＣＶＤ技术,并对ＭＯＣＶＤ技术的进一步改进和应用作了展望。     

全球LED背光源技术专利态势分析

选择HOMSON集团的DWPI数据库,采集1965-01-01到2008-12-31的发光二极管(LED)背光源技术专利文献,建立专利数据库.采用Derwent Innovation Index专利分析系统,分别从专利申请总量和趋势、重点专利技术和持有人等方面,对LED背光源技术专利进行了深入的分析,并对比分析了国内外技术专利现状以及主要专利申请国家的申请情况.研究表明在LED背光源技术专利方面,我国原创性核心专利较少,还有待提高,并提出了发展我国LED背光源技术专利的策略.     

LP-MOCVD生长InGaAlP外延层中In并入效率的研究

分析了In原子在InGaAlP外延生长表面的扩散、并及及脱附过程，给出了In并入外延层的效率表达式，依据该表达式，解释了生长速率、生长温度及生长压力等生长参数对LP－MOCVD生长InGaAlP外延层中In组分的影响。     

垂直腔面发射激光器的原理与设计

阐述了垂直腔面发射激光器（VCSEL）的工作原理及器件的设计方案,并设计出激射波长为980nm,InGaAs/GaAs多量子阱作为发光材料,氧化物限制电流,衬底面出光的基横模低阈值的器件结构。     

中国LED散热技术专利分析

选择"七国两组织"中文专利数据库,采集1985年1月1日至2008年12月31日期间的LED散热技术专利文献,建立专利数据库.再选择广东专利信息服务平台分析系统,分别从专利申请总量、重点专利技术和重点专利持有人等方面,对LED散热技术专利进行了深入的分析,并对比分析了国内外LED散热技术专利现状,提出了发展我国LED散热技术的专利策略.     

电化学C-V测量AlGaInP LED 外延片中载流子浓度的分布

在实验的基础上，总结了电化学C-V的一些测试经验，提出了一种适用于测量AlGaInP LED外延片中载流子浓度纵向分布的电解液-0.5mol HCl浓液，综合利用平带电位值(F.B.P），耗散因子和测量电流等3个测量判据，合理选取测量电压，腐蚀电流等测量参数，获得了速度快，重复性好和数据准确可靠的测试效果。     

高亮度InGaAIP DH LED结构设计的研究

ＩｎＧａＡｌＰ双异质结ＬＥＤ结构设计的目的在于减少器件的光,电,热损耗。本文分析各层成分,层厚度,掺杂浓度以及有关的辅助技术,例如厚电流扩展层,电流隔离层,布拉格反射层,金属电镀反射层,透明衬底等对ＬＥＤ性能的影响,提出一个性能优良的高亮度ＬＥＤ应具有的结构模式。     

中国LED信号显示技术专利态势分析

选择"七国两组织"中文专利数据库,采集1985年1月1日到2008年12月31日期间的LED信号显示技术专利文献,建立专利数据库。再选择广东专利信息服务平台分析系统分别从专利申请总量、重点专利技术和重点专利持有人等方面,对LED信号显示技术专利进行了深入的分析,并对比分析了国内外LED信号显示技术专利现状,提出了发展我国LED信号显示技术的专利策略。