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1.
以SiCl_4和H_2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在不同放电功率下沉积微晶硅薄膜,通过调节放电功率实现了微晶硅薄膜的晶化调控和光电性质的优化,并利用Langmuir探针和质谱计分别对等离子体空间的电子特性和中性基团进行在线检测,初步探讨了成膜的微观机理.  相似文献   
2.
提出了一个新的三维自治混沌系统,具体分析了其基本动力学特性,得到了系统Lyapunov的指数和维数,通过数值模拟,给出了系统仿真图,Poincare'映射图,Lyapunov指数谱,重点分析了不同参数变化对系统动力学行为的影响。数值模拟证实了其不同于其他混沌系统的拓扑结构。  相似文献   
3.
应用实空间重整化群和累积展开的方法, 研究外场中一种等级晶格上S4模型的相变和临界性质, 求出系统的临界点和临界指数. 结果表明, 该系统存在一个Gauss不动点和一个Wilson-Fisher不动点, 与特殊钻石型等级晶格上的S4模型相比, 系统的临界点和临界指数均发生变化, 表明二者属于不同的普适类.   相似文献   
4.
研究单个二能级原子自发辐射过程中原子和光场Wigner-Yanase的信息变化,并分别计算原子和辐射场的Wigner-Yanase信息.结果表明:原子和光场的Wigner-Yanase信息均依赖于平均值〈Sz〉;当原子处于基态时,光场的Wigner-Yanase信息达到最大值;原子与光场并非同步达到最大混合态.  相似文献   
5.
采用实空间重整化群的方法,研究了外场下Sierpinski镂垫上2态potts模型的相变,得到了系统的递推关系和临界点。根据标度变换理论,得到了描述系统临界特性的6个临界指数。  相似文献   
6.
利用RGA100质谱仪成功地实现了对SiH4辉光放电等离子体的在线检测。根据线性拟合的方法获得了SiH4消耗率及中性基团SiHn(n=1,2,3)在空间的分布规律,并对此进行了详细的分析和讨论。  相似文献   
7.
应用键移重整化群的方法,研究了正方形晶格上反铁磁Gauss模型的相变,求出了系统的临界点和临界指数.结果表明,此系统存在有限的温度相变,与该晶格上的Ising模型相比较,系统的临界指数发生了变化.这表明它们属于不同的普适类.  相似文献   
8.
利用RGA100质谱仪成功地实现了对SiH4辉光放电等离子体的在线检测。根据线性拟合的方法获得了SiH4消耗率及中性基团SiHn(n=1,2,3)在空间的分布规律,并对此进行了详细的分析和讨论。  相似文献   
9.
应用实空间重整化群的方法,研究了一种分形上Ising模型的相变和临界性质,求出了系统的临界点0.264,根据RG理论,得到了系统的临界指数。与该分形上Gauss模型比较,系统的临界点和临界指数都发生了变化。  相似文献   
10.
应用键移重整化群的方法,研究了正方形晶格上反铁磁Gauss模型的相变,求出了系统的临界点和临界指数.结果表明,此系统存在有限的温度相变,与该晶格上的Ising模型相比较,系统的临界指数发生了变化.这表明它们属于不同的普适类.  相似文献   
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