Einstein—Maxwell方程的新解

本文给出了一种新的生成技术,建立了一个新的生成解定理,根据此定理,可以由任何一个已知的静态真空解生成一个新的电磁真空解,并从Ｓｃｈｗａｒｚｃｈｉｌｄ出发生成了一新解。     

对称量子点花样体系电容谱

利用从头计算方法, 即基于Gauss基函数的非限制Hartree-Fock-Roothaan (UHFR)方程, 计算对称多量子点花样体系的基态能, 进而研究它们的电子电容谱. 量子点花样中的每一个量子点, 采用球形有限深限制势阱. 结果表明, 计算方法和理论模型不仅能够很好地给出类单量子点的s-壳层和p-壳层的电容峰, 并且给出了对称量子点花样体系电容谱一些新的精细结构. 它将成为研究对称量子点花样体系少电子问题的一种有效可行的方法.     

复合磁电垒纳米结构中的电子自旋过滤器

采用转移矩阵法,我们研究了在偏压存在的情况下,由沉积在InAs半导体异质结上的两条铁磁条带和一条肖特基金属条带构建的电子自旋过滤器中电子的自旋过滤特性.研究发现,该电子自旋过滤器中,电子自旋极化的大小和幅度与偏压密切相关,这些有趣的性质对如何制造一个偏压可调的电子自旋过滤器十分有益.     

场源参量对引力红移效应的影响

讨论了场源的电（磁）荷，角动量，旋转电荷和磁矩对引力红移效应的影响。结果表明，电（磁）荷，角动量和磁矩均使这种效应减弱，旋转电（磁）荷使这种效应增强。     

Einstein—Maxwell场的新生成解定理

给出了一个新的生成解定理，根据本文给的定理，由一个已知的静态真空解生成新的电磁真空解，ｃｈｗａｒｚｓｃｈｉｌｄ解作为初始解，生成了一个新解。     

偏压可调的铁磁-肖特基金属和半导体纳米电子自旋过滤器

在半导体异质结上沉积一条纳米级的铁磁条带和一条肖特基金属条带可获得一个电子自旋过滤器.采用转移矩阵法,我们研究了偏压对该电子自旋过滤器中电子自旋过滤性质的影响.通过数值计算,我们发现,该电子自旋过滤器中,电子自旋极化的幅度和符号与偏压密切相关,这可用来制造一个偏压可调的电子自旋过滤器.     

Kerr度规的解析推导

通过直接求解Ｅｒｎｓｔ方程，给出了Ｋｅｒｒ度规的解析推导。