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基于转移矩阵方法和量子相干输运理论,研究了含两铁磁半导体层的双自旋过滤磁性隧道结(NM/FS/I/FS/NM,NM表示非磁金属,FS表示铁磁半导体,I表示绝缘层)中的Rashba自旋轨道耦合与自旋相关隧穿现象和隧穿磁电阻(TMR)效应之间的关系.研究结果表明:当左右两FS层的Rashba自旋轨道耦合强度相等时可得到最大的正TMR,而不等时可得到大的负TMR;在绝缘层厚度达到一定值后,双自旋过滤结可以获得稳定TMR,其正负和两FS层Rashba自旋轨道耦合强度的相对大小有关.  相似文献   
2.
单电子输运器件在集成单电子电路、电学计量和量子信息处理等方面有着广泛的应用前景.金属单电子输运器件具有固定的隧道结,而半导体单电子输运器件则具有可调的隧道结.基于隧穿电阻和隧穿几率的唯象计算公式,详细研究了温度对硅基电荷耦合器件的隧道结的隧穿电阻和隧穿几率的影响,同时讨论了温度和门电压与库仑阻塞条件之间的关系.  相似文献   
3.
本文用扫描散射近场光学显微镜(s-SNOM)在室温下研究了碲化钨(WTe_2)的近场光学响应,利用有限偶极模型计算了WTe_2样品与金刚石基底的近场散射信号比,发现观测结果并不能完全由块材所描述,从而推测出样品表面具有与块材无耦合作用的WTe_2纳米薄层,并对在样品边缘发现的很强的亮纹做出了可能的解释.这个工作为今后对拓扑材料的光学研究提供了参考.  相似文献   
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