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1.
通过顶电极金属材料的选择,考察金属-绝缘体-金属器件的I-V曲线的对称性.并用p-n-n能带模型进行了分析解释.结果表明,采用电负性小于1.6的金属作顶电极,并在一定温度下对该器件进行热处理,可以提高其I-V曲线的对称性.  相似文献   
2.
采用不摩擦技术制备了无序的混合排列型ECB液晶盒,研究了盘中液晶的微观织构,分析了它的电光特性和视角特性.结果表明,该液晶盒是多畴结构,具有很多向错,并具有三色峰值电压分离较好、工作电压低、视角在整个平面内具有方位角对称性的特点.  相似文献   
3.
负性向列相液晶在LB膜上的取向及电光特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
报道了用花生酸生长的LB膜作液晶取向层,使负性向列相液晶MBBA在其上取得较好的垂直取向排列效果,并通过偏江显微镜利用锥光干涉效应,研究了这种取向排列,研究表明在加电压后液晶受电场作用偏转具有一定的择优取向,取向方向与LB膜的生长提拉方向平行。同时,对其电光特性进行了测量,从测量显示出的典型电控双折射形电光特性曲线肯定了择优斜取向的存在。  相似文献   
4.
研制一种新型的能够引起18°高预倾角的取向材料──聚酰亚胺(PI)YB29.探讨预倾角对固化温度、固化时间、摩擦强度的依赖关系;同时研究这种材料的红外吸收光谱、电子能谱及240°扭曲的液晶盒的电光特性.  相似文献   
5.
研究液晶在各种聚酰亚胺表面上的排列及预倾角,定性分析液晶预倾角的成因.实验结果表明,摩擦强度是影响液晶预倾角的主要因素.对于无支链聚酞亚胺,预倾角随摩擦强度的增大而增大,最大可达3°以上;对于有支链聚酰亚胺,预倾角随摩擦强度的增大而减小,弱摩擦时可以得到较为稳定的大预倾角(6°以上)的液晶排列.聚合物表面微观的、与液晶分子长度相当的不对称三角形的结构是形成液晶预倾角的必要条件.  相似文献   
6.
报道了用花生酸生长的LB膜作液晶取向层,使负性向列相液晶MBBA在其上取得较好的垂直取向排列效果。并通过偏光显微镜利用锥光干涉效应,研究了这种取向排列.研究表明,在加电压后液晶受电场作用偏转具有一定的择优取向,取向方向与LB膜的生长提拉方向平行。同时,对其电光特性进行了测量。从测量显示出的典型电控双折射形电光特性曲线肯定了择优倾斜取向的存在。  相似文献   
7.
对不同氧流量下用直流磁控溅射法制备的ITO薄膜进行退火处理,并对退火后ITO薄膜的光电特性进行分析.结果表明,N2气氛下退火可以改善ITO薄膜的结晶性,同时使ITO薄膜质量得到优化,并显著提高ITO薄膜的透明性和电导性.  相似文献   
8.
利用 Ni金属诱导晶化 ( Metal Induced Crystallization,MIC)的方法制备 p- Si薄膜 .XRD,Raman光谱研究结果表明 ,a- Si/ Ni经 440℃ 2 h以上退火处理后 ,形成多晶相结构 .用 SEM,XPS等分析手段对薄膜的结构进行分析 ,并对金属 Ni诱导晶化的机理进行简要的探讨  相似文献   
9.
对在液晶材料中掺入2%的、经可见紫外光固化的聚丙烯酸酯单体进行聚合和在垂直于基片方向上施加一个合适的电场,获取沿摩擦方向一致取向的网络织构及用取向的聚合物网络实现控制液晶分子取向的研究做了报道,并阐述了聚合物网络与液晶的相互作用机理;根据液晶光透射率的计算公式,对实验结果进行了定量分析.  相似文献   
10.
在氢气气氛下对绝缘体表面进行热处理提高金属-绝缘体-金属(MIM)器件的I-V特性曲线的对称性,简化了该器件的制作工艺,并探讨底电极掺氮对MIM器件I-V特性曲线的影响,用n-n--n能带模型对MIM器件的I-V特性曲线对称性加以解释.  相似文献   
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