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1.
橡胶坝常用于低水头、大跨度的闸坝工程,如防洪、储水、发电、供水、挡潮及城市园林美化等工程,不仅起到闸门、滚水坝和活动坝等作用,而且具有瀑布景观效果.本文建立了橡胶坝有限差分计算模型,系统分析了充水压力、上游水位及坝袋几何尺寸等参数对橡胶坝断面形状的影响.开展了室内模型试验,验证了计算模型的准确性.讨论了上游挡水水位与坝袋高度、断面面积、宽度、接地宽度和顶部位置等参数间的关系.研究发现,坝高H/L和横断面面积A/L2随上游水位Hr/L的增大呈非线性减小趋势,而坝宽B/L、接触宽度b/L和坝顶距锚固点水平距离D/L随上游水位Hr/L的增大而非线性增大.基于Chapman-Richard曲线模型对本文得到的橡胶坝几何形状尺寸进行拟合,提出了简化的橡胶坝设计计算公式,可为实际工程设计评估提供参考.  相似文献   
2.
Ti2AlNb(O-Ti2AlNb)具有优异的力学性能,在航空发动机方面有远大应用前景.激光冲击强化(Laser Shock Peening,LSP)是一种先进的表面改性技术,能够在材料表面诱导产生高幅值、大深度的残余压应力,改善材料微观组织,提高材料抗疲劳、高温氧化等性能.本文采用激光冲击强化对Ti2AlNb合金进行表面改性,并研究其组织演变、残余应力以及高温环境对性能的影响.结果表明:激光冲击强化能够显著减小Ti2AlNb合金近表面的晶粒尺寸.显微硬度由冲击前的350 HV提升到395 HV;在冲击区域近表面产生了约-377 MPa的残余压应力;而在高温环境中,由激光冲击强化所诱导的材料近表面残余应力随时间逐渐释放,在600℃条件下,残余应力释放较为缓慢;而在720℃条件下,残余应力迅速释放.  相似文献   
3.
<正>在建筑工程各个施工阶段中,工程测量技术大大影响着建筑工程质量。建筑工程测量一般包括建筑物的定位、轴线放样、标高测量及复核、建筑物的总高测量以及垂直度测量等。一、建筑工程测量前的准备工作施工测量准备工作是测量的重要环节,对施工测量全过程能否  相似文献   
4.
提出了一种基于双DCT变换的音频数字水印算法,通过选取首次DCT变换后的DCT域低频系数,对其再次进行DCT变换,得到双DCT域系数.通过修改双DCT域系数,实现水印的嵌入,并且嵌入量较大.实验结果显示,该算法隐藏效果好,对30%的重采样攻击和MP3压缩攻击具有很好的鲁棒性.而且,该算法能够适用于面向空气信道传播的场景,误码率可控制在1.2%~6.5%之间.  相似文献   
5.
针对电话手机语音的文本无关说话人确认中,训练集语音和测试集语音来自不同信道所产生失配而导致系统性能下降的问题,采用一种基于高维空间映射的方法对系统进行补偿.在分析了已有的说话人确认系统的基础上,提出了一种基于特征参数映射支持向量机模型(PSVM)的说话人确认系统.首先用大量已知信道类型的语音训练出信道空间及映射矩阵,然后训练语音和测试语音都通过映射,消除因信道不同而导致的失配影响.在NIST数据库上的实验结果表明,这种方法弥补了训练语音和测试语音的失配,说话人确认系统的性能有了明显的提高.  相似文献   
6.
为加快陕西纺织工业结构调整、产业升级以及加快承接产业转移,本文从陕西纺织产业的现状及面临的形势出发,提出了振兴陕西纺织产业的一些思路、对策及相应的政策建议.以期能够为陕西纺织早日走出困境有所启示.  相似文献   
7.
在对我国中外合作办学深入研究的基础上,结合国外跨境教育质量评价的相关理论,构建了我国高校中外合作办学项目质量评价指标体系.通过建立评价指标体系的层次结构模型,应用层次分析(AHP)法来分析和量化质量评价指标.基于MATLAB对AHP算法的系统解决方案,使AHP运算过程简单准确,从而获得评价指标体系的权重.并根据AHP算法结果,修正了评价指标体系,使之更加合理和完善.最后应用评价指标体系,对3所有代表性的陕西省高校中外合作办学项目进行了试评价和实证研究,进一步验证了评价指标体系.  相似文献   
8.
τ-→μ-ф(ω)衰变可用来探测超出标准模型的具有轻子味破缺(LFV)的新物理.在双黑格斯二重态模型Ⅲ(2HDMⅢ)下对这些衰变的企鹅图效应作了研究,结果表明在一定的参数范围内,企鹅图的贡献可将衰变分支比提高到目前的实验上限,其中光子企鹅图的贡献占主要地位.  相似文献   
9.
电力系统的正常运行关系着社会的发展与人们的生活水平,因此,我们应不断开发继电保护新技术,以保证电力系统可靠地供电.本文结合实例探讨了变电站电力系统继电保护方面的内容与相关问题及其技术措施.  相似文献   
10.
硅基薄膜太阳能电池是光伏电池领域最具有发展前景的组件.采用非平衡磁控溅射技术制备氢化硅薄膜和SiNx/Si纳米多层膜,并对其结构与性能进行了分析.结果表明,Si∶ H薄膜呈现出非晶硅和硅纳米晶颗粒复合结构;随着溅射混合气中氢气含量的增加,Si∶ H薄膜的晶化程度增强;Si∶ H薄膜的光学带隙均高于2.0eV.利用交替磁控溅射方法沉积的SiNx/Si纳米多层膜结构,其呈现出非晶相.  相似文献   
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