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1.
以气-液-固(VLS)、气-固-固(VSS)、固-液-固(SLS)和氧化物辅助生长(OAG)机制为主线,着重介绍与评论了几种主要的Si纳米线的制备方法,如激光烧蚀沉积(LAD)、化学气相沉积(CVD)、热蒸发和金属(Au,Fe,Ni和Al)催化生长等.简要介绍了Si纳米线及其阵列在场效应晶体管、场发射器件、太阳电池、传感器以及集成电子器件等方面的应用.最后,讨论了各种制备方法的优势与不足,指出了该研究领域今后的发展方向.  相似文献   
2.
浅谈公路拓宽工程的路基施工技术   总被引:3,自引:0,他引:3  
随着我国公路建设的进一步发展,公路现有的建设状况已经远远不能满足要求,大量的公路急需在原有的基础上进行拓宽改建。在公路拓宽改造工程的路基施工过程中,研究如何加强路基施工管理,使路基均匀稳定,从而有效地避免新旧路基交界处出现路面纵向断裂,有着重要的现实意义。本文以30231省道拓宽工程为例,对此加以探讨。  相似文献   
3.
由不同禁带宽度的子电池组合成的叠层太阳电池,可以有效增加太阳电池对入射光子的能量吸收,以达到提高其转换效率的目的.本文评述了各类叠层光伏器件,如化合物叠层太阳电池、硅基叠层太阳电池、聚合物叠层太阳电池和染料敏化叠层太阳电池的光伏性能与研究进展,并提出了提高叠层太阳电池转换效率提高的某些技术对策.  相似文献   
4.
以Au膜作金属催化剂、SiH4作为源气体,基于气-液-固(VLS)生长机制在n-Si(111)单晶衬底上制备出了Si纳米线.利用扫描电子显微镜对样品进行了结构表征,Si纳米线的直径为20~200 nm、长度为数微米到数十微米,X射线能量损失谱分析表明所制备的Si纳米线中含有少量的Au元素.讨论了生长温度、SiH4流量、Au膜层厚度和生长时间对Si纳米线的形成与结构的影响.  相似文献   
5.
以电阻率为1.1~1.5Ω.cm的N-(111)Si单晶为衬底和厚度为2~20 nm的Au膜层为金属催化剂,在N2气流量为0.4~2.0 L/min和温度为1000~1100℃的退火条件下,利用固-液-固(SLS)生长机制,直接从Si单晶制备出了Si纳米线.扫描电子显微镜(SEM)的测量证实,Si纳米线直径为50~150 nm、长度为数微米到数十微米.讨论了退火温度、N2气流量和Au膜层厚度对Si纳米线的形成与结构的影响.实验结果表明,制备高密度、分布均匀且生长方向趋于一致的Si纳米线的最佳工艺参数为:Au膜层厚度为5~10 nm,温度为1100℃,N2气流量为1.5 L/min.  相似文献   
6.
一维纳米材料具有优异的电子输运性质与光学性质,在场发射器件、场效应器件、传感器件、发光器件以及光伏器件中具有广阔的应用前景.本文介绍了纳米线在化学传感器和生物传感器,如H2传感器、O2传感器、CO传感器、NO2传感器、pH传感器、DNA传感器和病毒传感器等方面的应用现状及其研究进展.着重评论了各种纳米线传感器的灵敏度、响应时间和稳定性等特性,并对纳米线在其他传感器中的应用进行了展望.  相似文献   
7.
在0.1μm级的Si_CMOS器件及其集成电路中,作为替代传统SiO2栅介质的首选材料,超薄SiOxNy膜已被广泛研究和应用.本文介绍了近几年SiOxNy栅介质制备技术的研究进展,讨论了各种方法的优缺点,并展望了SiOxNy栅介质制备技术的未来发展趋势.  相似文献   
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