共轭多孔聚合物薄膜的电化学制备及电容特性

以聚集诱导发光（AIE）材料咔唑基三苯乙烯衍生物（TPCz）为单体，采用循环伏安法（CV）以聚集诱导发光（AIE）材料咔唑基三苯乙烯衍生物（TPCz）为单体，采用循环伏安法（CV）原位聚合制备了咔唑基三苯乙烯衍生物多孔聚合物薄膜（TPCz-CMP）. 利用红外光谱（FT-IR）、紫外-可见吸收光谱（UV-vis）、高倍透射电镜（HR-TEM）等手段对其结构和形貌进行了表征，并对CMP薄膜修饰的电极进行了CV、恒电流充放电（CP）及交流阻抗（EIS）等电化学性能测试. 结果表明， TPCz-CMP薄膜具有微孔结构，在电流密度为4 A/g时，TPCz-CMP薄膜电极的比电容达到193 F/g，是一种具有优良应用前景的超级电容器材料.     

咔唑基三苯乙烯衍生物的电化学聚合及其性能

对具有明显聚集诱导发光性能(AIE)的化合物4,4’-双(2,2’-双(4-(6-(9H-咔唑基)己氧基)苯基)乙烯基)联苯(p2bc6)以电化学聚合法制备了聚合物发光薄膜.该聚合薄膜的结构、光学性能和表面形貌通过红外光谱、紫外光谱(UV)、荧光光谱和原子力显微镜表征.结果表明:聚合前体通过分子中咔唑基团聚合形成聚合物薄膜;薄膜具有良好的发光性质;制得的电化学聚合薄膜表面平整,表面粗糙度可达到3 nm以下,有望作为发光材料应用于PLED器件中.