双台面硅崩越二极管的实验研究

对于硅崩越管管芯;选择一致的物理参数;选用恰当的引线方式;改进管芯与管壳的热接触确定最佳结直径,双台面崩越二极管实现了功率合成,在7.7GHz的频率下得到效率为6.5％,连续输出功率为800mw的结果。     

超临界干燥和普通干燥方法对多孔硅的结构及性质的影响

对经超临界干燥与经自然干燥处理的多孔硅样品的表面形貌,光致发光、Ｒａｍａｎ光谱和光吸收特性进行了对比研究。扫描电子显微镜和Ｒａｍａｎ光谱分析表明,经超临界干燥自理与自然干燥处理的多孔硅样品的微结构存在显著的差异。     

高补偿锗的低温电击穿与复合失能

一、引言 近几年来,对于液体氦温度下锗的电击穿现象进行了广泛的研究。典型的电压——电流特性曲线如图1.1所示。当电场增加到某一临界数值(约几个伏特/厘米),电流陡然猛增,电场每增加百分之几,电流增加几个数量级,这就是所谓电击穿。开始发生电击穿的电场称为击穿场,记作E_b。克尼格(S.H.     

氧化多孔硅和纳米硅粒镶嵌氧化硅光致发光机制模型

关于纳米硅／氧化硅系统的光致发光(PL)机制，有很多争议．该系统包括氧化多孔硅(PS)和用化学气相沉积、溅射或硅离子注入氧化硅等方法形成的纳米硅粒(NSP)镶嵌氧化硅．提出二种PL竞争机制：量子限制(QC)过程和量子限制-发光中心(QCLC)过程．两个过程中光激发都发生在NSP中，光发射在QC过程是发生在NSP中，而在QCLC过程是发生在与NSP相邻的氧化硅中的发光中心上．对两种过程的几率大小进行比较．哪一过程对PL起主要作用，取决于俘获截面、发光效率、发光中心密度和NSP的尺寸．对于一个有固定的俘获截面、发光效率和LC密度的纳米硅／氧化硅系统，LC密度越高，NSP尺寸越大，越有利于QCLC过程超过QC过程，反之亦然．对于固定的发光中心参数，NSP尺寸有一个临界值，当NSP的最可几尺寸大于临界值，QCLC2过程主导发光，当NSP的最可几尺寸小于临界值时，QC过程主导发光，当NSP大小接近临界值时，Qc与QCLC都要考虑在内．利用这个模型讨论了一些已报导的纳米硅／氧化硅系统PL的实验结果．     

发光多孔硅研究进展

发光多孔硅研究进展ＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｆｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅｉｎＰｏｒｏｕｓＳｉｌｉｃｏｎ￥／／秦国刚（北京大学物理系，教授北京１００８７１）硅是最重要的半导体材料，它在微电子领域有十分重要而广泛的应用。室温下硅的禁带宽度为１．...     

单根In掺杂的n-ZnO纳米线/p+-Si异质结的紫外电致发光

采用化学气相沉积的方法在In0.1Ga0.9N衬底上生长出In掺杂的n-ZnO纳米线阵列.电学输运测量得到单根n-ZnO纳米线的电阻率为0.001 Ω cm,比同样方法在GaN衬底上生长的ZnO纳米线低约20倍.这个结果表明来自于In0.1Ga0.9N衬底中的In原子在高温生长过程中可能被掺入ZnO纳米线.制备成功单根n-ZnO纳米线/p -Si异质结构并研究了其电致发光特性.室温下电致发光光谱中可以看到一个窄的ZnO激子峰(约380 nm)和一个中心位于700 nm 的来自Si衬底表面自然氧化硅发光中心的发光峰.     

体硅阳极和薄膜微晶硅阳极聚合物顶发光白光器件

分别以p型体硅和p型薄膜微晶硅为阳极,以掺入MEH-PPV的PFO为发光层,以透明金属Sm/Au为阴极,制作了顶发光白光器件。器件结构是:硅阳极/PEDOT:PSS/MEH-PPV:PFO/Cs2CO3/Sm/Au。通过调节MEH-PPV在PFO中的质量百分比,改进了白光器件的发射色度。当MEH-PPV的质量百分比为0.13%时,发光在白光范围,CIE色坐标为(0.372,0.391)。研究了器件发光效率对体硅阳极电阻率的影响,当体硅阳极电阻率为0.079.cm时,器件电流效率和功率效率都达到极大,分别是0.191 cd/A和0.131 lm/W。以金属Ni诱导硅晶化的薄膜微晶硅为阳极,通过调节Ni层厚度,优化器件效率。当Ni层厚度为2 nm时,薄膜硅阳极器件的电流效率和功率效率分别达到最大值:0.371 cd/A和0.187 lm/W,相对于最佳电阻率体硅阳极器件分别提高了94%和43%。