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1.
以Na BH4为硼源,以NH4Cl为氮源,以单壁碳纳米管为模板,利用自制的不锈钢高压反应釜制备氮化硼纳米管,采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线能谱仪及透射电子显微镜等手段对制备的氮化硼纳米管进行一系列微观形貌及物相分析。结果表明,制备的氮化硼纳米管在电镜下中空管状结构明显,直径约20 nm,粗细均匀,纯度较高,形貌良好。  相似文献   
2.
采用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)研究了聚丙烯腈原丝和预氧丝横截面超薄切片的微观组织,揭示了预氧化过程中原丝组织结构的演变机理。结果表明,晶区的非晶化转变是原丝在预氧化过程中组织结构演变的主要形式;而晶面间距的逐渐变宽则是导致非晶化转变的直接原因。  相似文献   
3.
采用超声波辐射法制备了不同桑色素量的GaP/桑色素纳米复合材料, 研究了其形态及可能的形成机理,实验结果表明,GaP纳米晶和桑色素形成了复合结构,并且随着桑色素溶液(浓度为0.01mol/L)的体积10ml增加到30ml,复合材料的形貌也相应地经历了从薄片状到长链状再到网状一系列的变化,利用这种现象,可以通过调整桑色素与GaP纳米晶的比例来控制复合材料的形貌,从而进一步控制它的性能。  相似文献   
4.
白玉俊  鲁成威  耿贵立  尹龙为 《科学通报》2001,46(14):1156-1158
通过透射电子显微镜观察了淬火CuZnAlMnNi记忆合金经离子减薄后在空气中的氧化。发现合金经室温放置90d后,在表面上形成了许多均匀分布的大小不一的氧化物颗粒。颗粒主要沿着马氏体板条中的层错面形成,同时在合金中的层错四面体处及位错线周围也都形成了较大的氧化物颗粒。氧化物的形成导致马氏体组织中的层错亚结构减少。局部区域甚至完全消失,这是淬火合金在室温放置过程中记忆性能降低的原因之一。  相似文献   
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