新一代存储技术:阻变存储器

阻变存储器具有存储单元结构简单、工作速度快、功耗低、有利于提高集成密度等诸多优点,受到广泛的关注.作者论述了RRAM的基本结构和工作原理,并介绍了三维集成和多值存储等RRAM新型技术.     

响应表面方法与模拟相结合用于埋沟道PMOS器件性能优化

响应表面方法与ＴＣＡＤ相结合是一个极具潜力的有用技术，它可以极大地减少研制和优化ＩＣ工艺的时间和成本。本文介绍了用响应表面的实验设计与模拟相结合获得模型方程并用于工艺优化的方法和优点。Ｄ－优化的设计方法和其他措施结合改善模型拟合精度，得到的响应表面用于对亚微米埋沟道ＰＭＯＳ器件性能进行预测和优化。用响应表面得到优化的工艺条件，在此条件下由响应表面预测的结果与模拟结果取得了很好的一致。     

SPICE中MOS2模型参数的提取

本文提出了SPICE自治法,用来检验提取参数的算法,并说明了自治法的合理性。报导了提取几种参数的算法,包括用CHEBYSHEV拟合法去除串联电阻的影响;由单一衬底偏置的I-V数据提取GAMMA、PHI等电学参数;以及提取饱和速度参数。所有这些算法都经过程序验证。     

进入纳米时代的CMOS设计

本论文着重论述未来ＣＭＯＳ进入纳米尺寸的关键挑战，如电源电压和阈值电压减小、短沟效应、量子效应、杂质数起伏以及互边线延迟等影响。分析了纳米ＣＭＯＳ器件结构的设计，讨论了用于纳米尺寸的新型器件结构，包括ＳＯＩ ＣＭＯＳ、册和环栅ＭＯＳＦＥＴ、凹陷沟道ＭＯＳＦＥＴ、动态阈值ＭＯＳＦＥＴ以及低温ＣＭＯＳ，它们可能把我们带到硅器件设计的最远极限。     

实验设计与模拟相结合用于IC优化设计的TCAD工具

鉴于PC机广泛普及和使用方便,在PC机上建立起实验设计与模拟相结合用于IC优化设计的TCAD工具.利用已有的工艺模拟软件SUPREM、器件模拟软件MINIMOS及电路模拟软件PSPICE,完成了响应表面拟合、SPICE模型参数提取及数据转换等程序,形成一个可以进行工艺、器件及电路分析和优化设计的TCAD工具,并用于研究实验设计方法在IC优化设计中的应用.     

对加法器CCS进位链的改进

介绍了一种对加法器CCS进位链的改进电路,并与没有进行改进的传统的CCS进位链电路进行比较.对这两种电路结构在同样的条件下用SPICE模拟.从实验结果中可以看到,4-bit的加法器单元的进位传输延迟时间缩短了34.39%,并且第4位和的传输延迟时间缩短了33.95%.     

吉位规模DRAM的发展和挑战

本文从工艺技术，单元结构，单元阵列及电路设计方面讨论了吉位规模ＤＲＡＭ的发展和面临的挑战；并展望了嵌入式ＤＲＡＭ的发展。