对我国居民消费的分析

正确认识我国居民个人消费状况,是制定我国经济发展战略,进行产业结构调整和引导消费健康发展的重要前提条件.     

14 MeV中子照相中CCD芯片的屏蔽计算

快中子照相实验中,电荷耦合装置(CCD)是重要的成像器件。快中子辐射不仅会减少CCD的使用寿命,而且会对快中子图像带来影响,因此必须对CCD芯片进行有效的屏蔽,减少快中子辐射对芯片的损伤。该文利用MCNP/4B程序计算了14MeV中子照相中不同屏蔽材料组合条件下CCD芯片的吸收剂量。计算结果表明,在对CCD进行有效的屏蔽后,芯片的吸收剂量是屏蔽前的3%,按源中子数归一后仅为1.29 aGy,已经达到屏蔽要求。计算结果还表明,环境散射中子辐射对芯片吸收剂量贡献较小,可以忽略。     

考虑吸收效应后对Z-pinch产生A1等离子体发射谱的非局域热动平衡模拟

本工作在采用细致能级模型计算等离子体布居数的基础上，细致地计算了等离子体的发射系数和吸收系数，采用简化的NLTE（非局域热动平衡）一维定态辐射输运近似计算了考虑吸收效应以后Z-pinch产生的A1等离子体的细致能谱并作了分析，结合考虑吸收与不考虑吸收时等离子体发射谱结构的改变，初步分析了等离子体不透明度对等离子体X光谱的影响．计算结果表明，不透明度效应对等离子体的光谱改造非常明显，等离子体不透明度对共振线有明显的影响，而对伴线的影响较小．我们的计算结果还表明，Z-pinch等离子体K线的有效吸收半径约为100-200um．     

喝茶

马寅初照本宣科也有毫不含糊的时候。这年冬天印度教育部长带领大学生代表团访问北大,按规矩,应由马寅初校长接待。在印方有教育部长出席的会议上,也必须     

基于闪烁光纤阵列快中子照相系统的点扩展函数数值研究

建立了基于闪烁光纤阵列构建的快中子照相系统点扩展函数(PSF)的计算模型, 编制了模拟程序. 基于计算结果, 分析了闪烁光纤截面尺寸和快中子源尺寸对系统点扩展函数的影响. 计算结果表明, 为获得较理想的系统点扩展函数, 光纤截面尺寸不应大于200 μm; 选用的中子源尺寸应在毫米量级; 中子源与闪烁光纤阵列的距离应大于1 m; 同时受照样品应当尽量靠近阵列. 计算结果对快中子照相实验布局和图像处理具有一定的指导意义, 同时也定量地反映了快中子照相系统的分辨率.