首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   3篇
  免费   0篇
  国内免费   1篇
丛书文集   1篇
综合类   3篇
  2007年   1篇
  2005年   1篇
  2001年   2篇
排序方式: 共有4条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
供电接地系统有很多种,本文结合智能化楼宇的具体特点,对智能化楼宇供电接地系统的选择进行了分析,对智能楼宇应采取的电气保护提出了适当的建议,并提出电气设计对智能化楼宇的重要性。  相似文献   
2.
N离子注入金刚石膜方法合成的CNx膜的成键结构   总被引:2,自引:0,他引:2  
使用N离子(能量分别为10keV,60keV)注入金刚石膜方法合成CNx膜,用Raman光谱和XPS光谱研究注入前后金刚石膜的成键结构。结果表明,金刚石膜经10keVN离子注入后,在Raman光谱中出现一个较强的金刚石峰(1332cm^-1)和一个弱的石墨峰(G带,-1550cm^-1)。而XPSN1s资料显示两个主峰分别位于~398.5eV和~400.0eV。金刚石膜经60keVN离子注入后,N1sXPS光谱中的主峰位于~400.0eV;相应地,Raman光谱中的石墨峰变得较强,通过比较,对注入样品的XPS谱中N1s的成键结构作如下归属:~400.0eV属于sp^2C-N键;~398.5eV则属于sp^3C-N键。  相似文献   
3.
使用 N离子 (能量分别为 1 0 ke V,60 ke V)注入金刚石膜方法合成 CNx 膜 ,用 Raman光谱和 XPS光谱研究注入前后金刚石膜的成键结构 .结果表明 ,金刚石膜经 1 0 ke V N离子注入后 ,在 Raman光谱中出现一个较强的金刚石峰 (1 332 cm- 1)和一个弱的石墨峰 (G带 ,~ 1 550 cm- 1) .而 XPS N1s资料显示两个主峰分别位于~ 398.5e V和~ 40 0 .0 e V.金刚石膜经 60 ke V N离子注入后 ,N1s XPS光谱中的主峰位于~ 40 0 .0 e V;相应地 ,Raman光谱中的石墨峰变得较强 .通过比较 ,对注入样品的 XPS谱中 N1s的成键结构作如下归属 :~ 40 0 .0e V属于 sp2 C— N键 ;~ 398.5e V则属于 sp3C—N键 .  相似文献   
4.
以Fe3O4纳米粒子为催化剂,CH4,B2H6和H2为气源,采用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积技术(ECR CVD)在多孔硅基底上制备出了掺硼碳纳米管薄膜·使用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、能量色散X射线谱(EDX)和X射线光电子谱(XPS)对样品的形貌、结构及组分进行表征·结果表明:通入B2H6后,纳米管的形貌和结构均发生了变化·生长气氛中硼的存在使得高取向性密集碳纳米管转变为较为分散且取向性很差的纳米管·从中空结构转变为类竹节结构,同时多壁管外径增大,管壁增厚,表面变得粗糙,并导致纳米管的生长速度降低,长度减小·  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号