双温非热尘埃等离子体中的二维尘埃声孤波

使用约化摄动方法得到了高阶横向扰动下的含有双温非热离子的无磁化尘埃等离子体中的KP方程.研究结果表明,高阶横向扰动会使孤波的振幅减小,而使宽度增大,双温非热离子的存在会严重影响着尘埃声孤波的结构,而且,稀疏形孤波与压缩形孤波均可能出现.     

含有双温非热离子的热尘埃等离子体中二维尘埃声孤波

以含有双温非热离子的无磁化热尘埃等离子体为研究对象,使用约化摄动方法得到了描述有限小振幅波动的KP方程.研究结果表明,尘埃流体的温度及两种不同温度满足非热分布的离子会严重影响和改变着尘埃声孤波的类型与结构,系统中既可能出现稀疏形孤波也可能出现压缩形孤波,而且,孤波的振幅与宽度亦有明显改变.     

弱横向扰动下的热尘埃等离子体中的尘埃声孤波

文章研究了弱横向扰动下的含有非热离子、尘埃颗粒电荷变化的热尘埃等离子体,利用约化摄动法得到了描述尘埃声孤波的(3+1)维Kadomtsev-Petviashvili方程。结果表明,与在一维空间传播的尘埃声孤波相比,弱横向扰动会减小三堆尘埃声孤波的振幅,而使宽度增大,而且,稀疏形孤立波和压缩形孤立波均可出现。结果还表明,非热离子分布会显著改变尘埃颗粒的电荷数.     

包含双温非热离子的热尘埃等离子体中的三维尘埃声孤波

研究了高阶横向扰动下含有双温非热离子的无磁化的热尘埃等离子体,使用约化摄动方法得到了(3+1)维Kadomtsev-Petviashvili(KP)方程.讨论了尘埃流体温度σ与快离子数λ(α)对尘埃声孤波性质的影响.研究结果表明,这些因素均可显著影响和改变孤波结构.系统中不仅会出现稀疏形孤波,也会出现压缩形孤波.另外,孤波的振幅随快离子数λ(α)的增大而减小,但孤波的宽度却随之增大.     

镶嵌纳米碳粒氧化硅膜的电致发光研究

采用复合靶磁控共溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜．测量显示，随着正向偏压的增加，来自Au／含纳米碳粒氧化硅膜／p-Si结构的电致发光峰位于650nm处几乎不移动．     

镶嵌纳米碳粒和硅粒氧化硅膜的电致红光发射研究

Luminescence study from the silicon oxide films embedded nm carbon particles (CSO) and nm silicon particles (SSO) is of great importance in integrated optoelectronics[1]. The pioneering work on electroluminescence (EL) from the SSO was reported by Dimaria et al[2]. They attributed the light emission to band-band recombination of electron-hole pairs in nanosize silicon particles. This model is referred to as the quantum confinement model. In this paper,we deposit CSO and SSO films onto p-type Si substrate and study comparatively visible EL from the Au/CSO/p-Si and Au/SSO/p-Si structures.     

含有非热离子及尘粒电荷变化的尘埃等离子体中的KP方程

使用约化摄动法得到含有非热离子、尘粒荷电变化的热尘埃等离子体中的KP方程.结果表明,非热离子分布会严重影响尘粒的电荷数.而且,高阶横向扰动的存在使得尘埃声孤波的振幅减小,而宽度增大.同时,该体系中稀疏形孤波和压缩形孤波共存.     

双温非热尘埃等离子体中的孤波

使用约化摄动方法得到了高阶横向扰动下的含有双温非热离子的无磁化尘埃等离子体中的MKP方程.经数值模拟分析可知,在该尘埃等离子体中,孤波的振幅和宽度均会随系统参数变化.     

等离子体中离子声波的色散关系

以含有满足玻耳兹曼分布的低温电子、远离平衡态的高温电子和离子组成的等离子体为研究对象,推导得到在该等离子体中传播的离子声波的色散关系.利用数值模拟方法讨论系统参数如快电子数、两种电子温度之比和数密度比值对离子声波的色散关系的影响.结果表明:系统参数的变化均会影响和改变着系统的色散关系,其中ω2随快电子数α的增大而增大.     

等离子体中离子声波的色散关系

以含有满足玻耳兹曼分布的低温电子、远离平衡态的高温电子和离子组成的等离子体为研究对象,推导得到在该等离子体中传播的离子声波的色散关系.利用数值模拟方法讨论系统参数如快电子数、两种电子温度之比和数密度比值对离子声波的色散关系的影响.结果表明:系统参数的变化均会影响和改变着系统的色散关系,其中ω2随快电子数α的增大而增大.