条形注入式半导体双异质结(DH)激光器阈值特性的理论分析

本文对条形注入式半导体DH激光器的阈值特性作了数值计算和理论分析。对PCW结构激光器载流子浓度剖面顶峰趋于平坦或中心下凹的现象作了解释并分析了这种现象所造成的后果。计算结果和实验结果符合较好。文中所提供的方法可适用于通常条形,BH、SBH、PCW、CDH、CSP等各种结构的激光器。     

条形注入式半导体双异质结(DH)激光器侧向波导和侧向模式特性的理论分析

本文以PCW结构和平面界面结构的半导体激光器为例,对它们的侧向模式导引机制和模式选择性作了理论分析,对等位相面分布和辐射远场图做出了较为精确的计算。计算结果与国内外报道的有关实验结果符合得很好。     

采用热壁外延技术在GaAs衬底上生长CdTe单晶薄膜

我们采用自行设计制造的热壁外延(HWE)装置在GaAs(100)衬底上生长了CdTe晶膜。分析测试表明,该膜为(100)单晶膜。HWE技术生长的CdTe/GaAs结构为外延生长HgCdTe提供了十分合适的衬底。 外延源是用99.999％的cd和Te,在10~(-4)Pa真空,800～1000℃温度下煅烧100h而获得的CdTe多晶。衬底采用(100)GaAs单晶片,解理成6×6 mm~2方块。清洁处理     

热处理和KOH腐蚀对CdS/CdTe太阳电池性能的影响

本文研究了热处理和KOH腐蚀对CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池性能的影响。结果表明,CdTe薄膜在沉积过程中或沉积后进行热处理,都可有效地改善器件的工作性能;Au/CdTe接触前对CdTe膜进行KOH腐蚀,能改善欧姆接触特性;蒸Au后的热处理及迅速冷却也能使欧姆接触特性得到进一步的改善。     

CdTe单晶薄膜的热壁外延

CdTe不仅是制作核辐射探测器的重要材料,而且还可用来制作太阳能电池,是外延Hg_(1-z)Cd_zTe的理想衬底。由于很难获得大块完美的单晶,为此,人们对CdTe单晶外延层的生长进行了广泛的研究。 热壁外延(Hot Wall Epitaxy,缩写为HWE)是一种真空沉积薄膜的方法。其主要特点是在蒸发源和衬底之间加了一个套筒,并加热,成为热壁。目的在于能生长出完美的单晶外延层,形成一个很接近热力学平衡的沉积系统,迫使从蒸发源出来的原子或分子指向衬底,从     

Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体薄膜材料的热壁外延生长

本文利用改进了的热壁外延装置，在ＧａＡｓ衬底上外延生长了ＧｄＴｅ，ＺｎＳｅ，ＺｎＳＳｅ，ＺｎＳ等半导体单晶薄膜，ＺｎＳｅ／ＺｎＳ，ＺｎＳＳｅ／ＺｎＳｅ异质结构和ＺｎＳ／ＺｎＳｅ，ＺｎＳＳｅ／ＺｎＳｅ超薄层、多层结构。ＳＥＭ，ＥＭＰＡ，ＸＲＤ及ＰＬ等分析测试结果表明，所生长的半导体薄膜材料具有良好的结晶学性质和光学性质。