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采用基于密度泛函理论的第一原理赝势平面波方法优化了TiAl、Ti_5Al_3、Ti_3Al这三种成分的Ti-Al系二元合金,通过对合金的内聚能、形成能和差分电荷密度的计算分析了合金的结构稳定性;通过计算合金的态密度、差分电荷密度研究了合金的电子结构性质.三种Ti-Al系合金的内聚能值分别为-4.33eV、-4.55eV、-4.71eV,表明常温下Ti_3Al稳定性最好.三种合金的形成能均为负值,结果分别为-3.61eV、-4.50eV、-4.42eV.由差分电荷密度可以看出,在三种合金中,Ti_3Al的稳定性最好.同时,在态密度的研究中,我们发现Al不是β相的稳定元素,随着Al含量的减少,体系费米能级升高,TiAl、Ti_5Al_3、Ti_3Al的抗腐蚀性依次减弱. 相似文献
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本文针对外边界支承的固支和简支环板,应用广义阶梯函数给出了环板在局部均布荷载和线性分布荷载共同作用下的极限荷载的计算公式 相似文献
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利用Tsuprem4和Medici对200伏VDMOS进行虚拟制造 总被引:2,自引:0,他引:2
通过将已知工艺参数与工艺模拟软件Tsuprem4结合起来,将模拟结果直接导入器件模拟软件Medici,对击穿电压及阈值电压,终端保护环进行了模拟计算,获得了具体的设计参数,并对利用这两个软件进行虚拟制造的过程中需要注意的问题进行了阐述. 相似文献
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主要介绍了VDMOSFET的终端优化设计,讨论了已有终端结构中的场环、场板技术,工作原理,以一种新型的高频VDMOSFET与模拟栅相结合的结构为例,详细讨论了场板在减少反馈电容、提高器件的击穿电压、降低导通电组、改善跨导、提高输出电阻、改进安全工作区方面的理论机制及作用。 相似文献
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利用第一原理(first-principles)计算二元合金Fe-Ni、Ni-V及Fe-Cr、Fe-V在不同晶格常数a下的结合能E.并利用这一结果使用最小二乘法拟合该四种二元合金的体弹性模量B.为了验证计算结果,用同样方法计算了Ni-Al合金的晶格常数a,结合能E和体弹性模量B,计算结果与Ni-Al合金的实验结果一致. 相似文献
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介绍了带隙基准电压源的原理,实现了一种高精度的带隙基准电压源电路.基于CSMC0.6 um用cadence的spectre工具仿真,温度从-40 ℃到125 ℃变化时,温度系数为1.947 ppm/℃,电源电压在3 V~6 V变化时,电源抑制比为97.68 db. 相似文献
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在合金体系中添加合金化元素来提高合金体系的抗腐蚀性是科学研究的重要手段之一.首先讨论了不同Cr含量下,Cr原子的分布对合金结构稳定性的影响.在此基础上,通过计算不同Cr含量的Ti-V-Cr合金体系的内聚能和形成能、费米能级和态密度,从电子层次分析Cr含量对Ti-V-Cr合金体系抗腐蚀性的影响.结果表明:随着合金体系Cr含量的增加,合金体系的内聚能升高,表明合金体系结构稳定性在降低;形成能均为负值,表明合金都稳定存在.态密度的研究表明,随着Cr含量的增加,赝能隙逐渐消失,合金体系中相邻原子间的成键作用减弱,合金体系的结构稳定性随着Cr含量的增加而降低,与内聚能的计算结果一致.态密度的研究还表明,随着Cr含量的增加,合金体系的费米能级在降低,费米能级处的总态密度值明显减小,并且态密度最大值向低能级方向移动,合金体系失电子能力减弱,有利于提高合金体系的抗腐蚀性. 相似文献