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1.
本文针对外边界支承的固支和简支环板,应用广义阶梯函数给出了环板在局部均布荷载和线性分布荷载共同作用下的极限荷载的计算公式  相似文献   
2.
用椭圆偏振仪测量了O+2 注入Si后的椭偏参数Φ和Δ ,给出了离子注入辐射损伤与注入剂量和注入能量的关系 .同时 ,对离子注入片在N2 气氛中进行等时热退火 ,测量了Φ和Δ ,给出了O+2 注入Si的退火特性 .结果表明 :O+2 注入Si的退火特性曲线 ,对不同的注入剂量和注入能量分别为“V”形和“W”形 .对此结果 ,我们进行了初步地分析和讨论  相似文献   
3.
本文应用广义阶梯函数对承受边缘弯矩局部均布荷载和线性分布荷载的简支圆板进行塑性极限分析.文中考虑了荷载的三种可能分布形式,给出了圆板极限荷载的计算公式.  相似文献   
4.
在文献〔1〕的基础上,应用广义阶梯函数给出在复杂荷载作用下环板的极限荷载的计算公式。  相似文献   
5.
用椭圆偏振仪测量了O^ 2注入Si后的椭偏参数Φ和△。给出了离子注入辐射损伤与注入剂量和注入能量的关系,同时,对离子注入片在N2气氛中进行等时热退火,测量了Φ和△,给出了O^ 2注入Si的退火特性,结果表明:O^ 2注入Si的退火特性曲线,对不同的注入剂量和注入能量分别为“V”形和“W”形,对此结果,我们进行了初步地分析和讨论。  相似文献   
6.
用TPP-1型椭圆偏光谱仪测量了注入能量为50keV,不同注入剂量的N2 ^ 注入Si的折射率谱。计算了单晶硅电极化的弛豫时间,并对上述结果进行了初步地讨论。  相似文献   
7.
本文针对外边界支承的固支和简支环板,应用广义阶梯函数给出了环板在局部均布葆载和线性分布荷载共同作用下的极限荷载的计算公式。  相似文献   
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