杂质能带与外观激活能的减少

引论: 利用霍尔系数温度的改变来分析n(或p)型半导体的激活能△E时,通常用杂质能级的摸型,以n型半导体为例,在温度不太高的情形下,激活到导带中的电子密密n与施主密度N_D受主密到N_A间有下列关系。     

3 MeV金离子辐照Ni60Nb40非晶合金及Hastelloy-N合金的辐照损伤研究

使用3 MeV金离子对Ni60Nb40非晶合金和Hastelloy-N合金进行剂量为2.3×1015 cm–2和5×1016 cm–2的辐照实验。X射线衍射(XRD)数据表明,Ni60Nb40非晶合金的非晶态在室温辐照下非常稳定,而HastelloyN合金在辐照后有明显的微观应变增加。同时纳米压痕分析表明,Ni60Nb40非晶合金的辐照软化和HastelloyN合金的辐照硬化主要由原子移位损伤造成。使用原子力显微镜(AFM)测量半遮挡的辐照方法制造的肿胀台阶,发现两种材料的辐照肿胀效应相差不大。扫描电子显微镜(SEM)观察发现,室温条件下3 Me V金离子导致Ni60Nb40非晶合金表面发生黏性流动的临界剂量大于2.3×1015 cm–2,而且发生线性流动的临界剂量具有不均匀性,推测是由机械抛光时产生的表面应力造成。由于黏性流动可以有效修补表面缺陷,所以Ni60Nb40非晶合金有希望作为抗腐蚀抗辐照涂层材料。     

半导体材料特性和参数研究

提出超晶格(AlAs/GaAs)和应变超晶格（Gex-Si,InxGa1-xAs/GaAs)光伏效应的机理,测量了不同温度下的光伏谱,光伏曲线反映了台阶二维状态密度分布并观察到跃迁峰。计算了导带和价带子带的位置和带宽,根据宇称守恒确定光路迁选择定则,对路迁峰进行指认。研究了光伏随温度变化、激子谱峰半高宽随温度和阱宽的变化,讨论谱峰展宽机制中的声子关联,混晶组分起伏及界面不平整对线宽的影响。测量了元素和化合物半导体单晶材料的室温、低温下的表面光电压谱,推导了有关计算公式,计算得出电学参数（L、n0 、μ、S、W）、深能级和表面能级位置、带隙和化合物组分;分析了电学参数的温度关系;由双能级复合理论,研究了少子扩散长度与深能级关系,计算了深能级浓度和参数。在不同条件下研制了二氧化锡/多孔硅/硅（SnO2/PS/Si)和二氧化锡/硅（SnO2/Si),测量了它们的光伏谱,分析表明它们存在着异质结。当样品吸附还原性气体（H2、CO、液化石油气）时,光电压有明显变化,因此可做为一种新的敏感元件。分析了它们的吸附机理,计算了有关参数。     

N~ P常规硅太阳电池退火效应的研究

研究了扩散成结后的退火处理对N~ 常规硅太阳电池性能的影响,结果表明退火处理能够提高太阳电池的转换效率,550℃左右退火后效率达到峰值;初步认为550℃左右的退火处理可使太阳电池基区和耗尽区内某种“基本”的深能级复合中心密度大幅度减小并使某些“非基本”的深能级复合中心消失,从而可恢复太阳电池基区少子扩散长度,减小耗尽区复合电流密度,提高太阳电池的转换效率。     

微机控制实现光伏谱自动测量

报道了由计算机，扫描控制器，光栅单色仪和锁定放大器组成的光伏谱自动测量系统的结构，联机方法和工作流程。与手动光伏测量系统相比，可提高测量效率２０倍，使在宽的波长范围内精确测量光伏谱成为容易的事。文中还给出了应用该系统测量ＡＬＡｓ／ＧａＡｓ超晶格光伏谱的结果。     

P—AlGaAs／n—GaAs异质结载流子输运机理

在20～300K的温度内测量了P-AlGaAs/n-GaAs异质结伏安特性和光伏谱随温度的变化,认为在正偏压下,通过p-n结的载流子输运过程有隧穿复合和扩散两个机构参与,对实验数据进行拟合,计算一些重要参数。     

Ga／As／Al／As超晶格低温光伏特性

在18～300K温度之内,测量了GaAs/AlA_3超晶格在不同温度下的光伏谱,采用Kronig-Penney模型的新形式计算了势阱中导带子带和价带子带的位置,对观测到的本征激子跃迁峰进行辨认,低温下的光伏谱反映了超晶格台阶式的二维状态密度分布。     

用光伏法及红外吸收法分析硅单晶质量

本文用光伏法测定样品的少子扩散长度,论证放宽直线拟合的T.S.Moss条件,用红外吸收法测定样品的氧、碳含量并样品的品质,实验发现,硅单晶的红外吸收光谱(a-λ~(-1))的基线愈高,则其中的少子扩散长度愈短;反之亦然,还探讨了基线的物理性质。     

判断功率晶体管性能的方法

研究了功率晶体管特性的等效关系，引进达通电压；研究了反向击穿电压，产生－复合电流，得出由５个参数判定管子质量的方法。