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1.
影响光电检测电路信噪比的因素   总被引:7,自引:0,他引:7  
根据噪声电路理论,应用解析方法推导出了光电检测电路信噪比的公式,并结合噪声En-Jn模型,对光电二极管用于光电检测时影响电路信噪比的因素进行了探讨。  相似文献   
2.
根据夫琅禾费衍射理论,利用数学软件及计算机蒙特卡罗随机抽样方法,准确地再现了夫琅禾费衍射实验现象及规律,可应用于辅助教学。  相似文献   
3.
4.
根据量子理论及薛定谔方程,从三维各向同性谐振子的本征值与本征函数出发,详细研究了三维各向同性谐振子在直角坐标系和球面坐标系下的本征函数、本征值之间的对应关系。理论分析表明,直角坐标系两不同坐标系下的本征函数之间通过一个幺正变换联系起来,能级简并度与幺正变换矩阵阶数相同。  相似文献   
5.
一维掺杂光子晶体的带隙结构及特征的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于传输矩阵法,数值模研究了光子晶体带隙特征与光子晶体结构参量的关系。研究表明:一维光子晶体的带隙是由光子晶体结构决定的,单个基本周期结构的光子晶体不具有带隙结构,随着周期数的增加,光子带隙结构逐渐形成,禁带中心无导带;当掺杂时,禁带中心位置出现一个极窄的导带,并且导带深度随着杂质层折射率的增大而逐渐变浅,一维光子晶体的这种特性可应用于滤波器件和光学谐振腔的设计。  相似文献   
6.
通过数值模拟的方法,分析了光源的非单色性对等倾干涉条纹可见度的影响,并将等倾干涉条纹可见度问题的研究范围由一个周期扩展到多个周期,进而对等倾干涉实验做更深入的研究与讨论,得到一套利用MATHCAD软件完成数值实验的方法。  相似文献   
7.
基于传输矩阵法,数值研究了掺杂一维光子晶体带隙特征。研究表明:一维掺杂光子晶体的带隙是由光子晶体结构决定的,不掺杂时,禁带中心无导带;当掺杂时,禁带中心位置出现一个极窄的导带,并且导带深度随着掺杂位置的不同而变化,当掺杂位置一定时,改变杂质层的折射率,发现随着折射率的变化,禁带中心的导带深度也会随折射率变化而变化,这样我们可以根据晶体的结构,适当选择掺杂位置和杂质折射率,就会在禁带中心出现一个极深的导带,一维光子晶体的这种特性可应用于滤波器件和光学谐振腔的设计。  相似文献   
8.
依据激光理论,分析讨论了激光陀螺闭锁效应产生的原因,并结合处理闭锁效应的方法,简要介绍了四频差动激光陀螺的基本原理及工程化过程。  相似文献   
9.
硅光电二极管在光电检测电路中的应用研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
分析了光电检测时硅光电二极管线性响应及噪声特性,给出了硅光电二极管的线性度及信噪比公式,并结合噪声En-In模型^[1],对光电二极管用于光电检测时影响电路信噪比 的因素进行了探讨。  相似文献   
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