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用苯热合成法分别在200 ℃、300 ℃、400 ℃下制得非晶SiOxCyHz 膜,在室温下观测到强的紫外光致发光,典型样品的发光强度可与多孔硅相比.实验中发现不同温度下生长的样品,其发光谱中均存在340 nm 发光峰,在400 ℃生长的样品的发光谱中还出现了380 nm 的伴峰.对X射线衍射谱,Fourier 变换红外吸收谱,X 射线光电子能谱,光致发光谱,及光致发光激发谱的分析表明,340 nm 的发光来源于氧化硅中的缺陷,而380 nm 的发光峰可能与材料中的SiC和SiSi 键有关.  相似文献
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