新型半导体薄膜材料的制备,结构和特性研究

主要介绍了研究所２０年来在新型薄膜半导体的制备、结构及特性研究方面所取得的成就,尤其是对非晶硅碳和非晶硅硅锗（α－ＳｉＣ：Ｈ和α－ＳｉＧｅ：Ｈ）薄膜、金刚石和类金刚石薄膜、立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）薄膜、β－Ｃ３Ｎ４薄膜和富勒烯薄膜的研究工作取得了重要成果,不少工作已达到国际先进水平,发表论文３００余篇。     

用阳离子置换法制备汞系高温超导薄膜

介绍了最近发明的一种制备汞系高温超导薄膜的新方法—阳离子置换法．采用Ｔ１ 系外延超导薄膜作为先驱薄膜,将Ｔ１ 系超导薄膜在Ｈｇ 气氛下进行热处理,用Ｈｇ 置换先驱薄膜中的Ｔ１,进而生成Ｈｇ 系外延超导薄膜．用此方法,成功地在ＬａＡｌＯ３ （００１）衬底上制做出了高质量的ＨｇＢａ２ＣａＣｕ２Ｏｘ 超导薄膜．Ｘ－光衍射θ－２θ扫描和极图测试表明,薄膜具有很纯的超导相和很好的外延结构．超导临界温度可达１２２Ｋ．在７７Ｋ温度下,临界电流密度达到３．４×１０６ Ａ／ｃｍ ２,在１１０Ｋ 温度下,临界电流密度仍可保持在０．７×１０６Ａ／ｃｍ ２ ．     

掺Sm、Pr的MnB1合金薄膜的磁性、结构和磁光性能研究

讨论了掺Sm、Pr的MnBi合金薄膜的结构、磁性和磁光性能．实验表明,经过退火处理(375℃～425℃／2～4h),样品形成MnBi晶体结构．掺杂含量x=0．1～0．25,样品具有较大的Kerr角(θKmax=2．57°),内禀矫顽力MHC=1．5～5．6kOe,剩余磁化强度Mr=3．0～5．6kOe,剩磁比r=0．88～0．98．磁光谱表明,随着掺杂含量的增大,样品Kerr角的极大值向长波方向移动．在变温过程中,样品的矫顽力随温度上升而增大,在薄膜(d<250nm)情况下矫顽力以形核机制为主。     

用中等能量离子辐射方法研究C60膜结构变化

在２００ｋｅＶ重离子加速器上,使用１２０ｋｅＶ的Ｈ＋,Ｈｅ＋,Ｎ＋,Ａｒ＋等离子对Ｃ６０分子薄膜进行了辐射处理,对辐射后Ｃ６０膜的Ｒａｍａｎ谱进行了系统地分析研究．离子辐射会影响Ｃ６０薄膜的结构,不同的辐射注入剂量会使Ｃ６０分子薄膜产生聚合和非晶碳化现象,这一现象的产生与辐射离子的剂量大小有关,并存在一剂量阈值．研究表明Ｃ６０分子的聚合与辐射碰撞过程中的电子能损有关,而Ｃ６０薄膜非晶碳化现象则主要受核能损的影响     

关于用四针法测量条形导电纸电阻的研究

该文将本来用于测量金属材料电阻的四针法移植到导电纸上。导电纸的均匀性比金属差,但只需小电流即能工作。研究表明,该方法对无限大平面导电纸是可行的。继而对管形导电纸作了尝试。最后对条形导电纸的电阻测量总结出经验公式,把四针法测电阻的适用范围推进了一步     

PVDF压电薄膜的应用进展

Ｐ Ｖ Ｄ Ｆ（ Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｉｄｅｎｅ ｆｌｕｏｒｉｄｅ , 聚偏氟乙烯） 压电材料具有独特的热电效应和压电效应,是一种新型的高分子多功能材料 Ｐ Ｖ Ｄ Ｆ 压电薄膜由于制作成本低、容易加工和处理、重量轻、机械性能好等优点,在诸多领域的应用受到人们的广泛关注本文从力和输出的关系、温度与输出电压的关系以及动态响应关系三个方面,综述了 Ｐ Ｖ Ｄ Ｆ 压电薄膜在机械、公路交通、建筑、医学、航空航海等方面的最新进展,并分析了压电薄膜的应用前景和存在缺陷     

关于用八田数修正Si3N4陶瓷水解 反应过程中的传质系数k0c的讨论

基于Whitman的薄膜理论,提出了计算Si     

扫描法布里—珀罗干涉仪测量金属薄膜反射系数的实验原理

介绍了利用扫描法布里—珀罗干涉仪,对金属薄膜反射系数进行准定量测量的实验原理;并对几种已知的反射系数Ｒ进行了实验验证;最后对此方法进行几点讨论。     

CN_x薄膜的制备及电子结构

采用反应溅射方法制备了氮化碳薄膜,研究了反应气体压力、溅射功率对薄膜形成的影响,并用Ｘ射线电子能谱（ＸＰＳ） 和富里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）对样品的电子结构进行了分析．结果表明：反应气体Ｎ２ 的压力太高或太低、溅射功率太大或太小,均不利于氮化碳膜的形成;在Ｎ２ 压力为８ Ｐａ、溅射功率为２００ Ｗ 时,薄膜的氮原子数分数得到最大值４１％ ;ＸＰＳ和ＦＴＩＲ分析结果揭示了膜中没有自由的Ｎ原子,所有的Ｎ原子均与Ｃ原子作用形成化学键,而且Ｃ Ｎ 单键、Ｃ Ｎ 双键、Ｃ Ｎ 三键共存．膜中Ｃ Ｈ 和Ｎ Ｈ 振动模式的存在,说明沉积在Ｓｉ 衬底上的氮化碳薄膜有较强的从空气中吸收氢的能力．     

单轴各向异性薄膜参数的变厚度椭偏分析方法

讨论了光轴垂直于薄膜界面的单轴各向异性薄膜(例如L-B膜)的椭偏参数迭代反演方法.提出用改变薄膜厚度的方法获得多组独立的椭偏方程,以便将薄膜光学常数和厚度分开计算,从而把三参数问题转化为二参数问题的椭偏参数迭代反演方法.给出了反演程序流程及应用于L-B膜的实例.