La0.7Sr0.3MnO3-PZT双层膜中的磁电耦合

讨论了La0．7Sr0．3MnO3-Pb（Zr，Ti）O3双层膜的磁电（ME）效应．La0．7Sr0．3MnO3粉料由溶胶-凝胶法制成，经1300K热压并在1573K高温下烧结而成，在该双层膜中测量到了很强的磁电相互作用．相较于厚膜型（tape casting）复合样品，该双层膜显示出更为优良的ME耦合．反映其ME耦合效应强弱的电压系数αE是在一定的磁场、温度和频率下测得的．横向耦合要比纵向耦合更为强烈，并在225K时ME电压系数达到峰值．分析表明由磁场和频率变化导致的ME系数变化的实验值与理论值符合的很好．     

钛酸钾晶须增强聚醚砜复合材料的流变性能及形态

研究钛酸钾须增强聚醚砜复合材料的流变性能及形态。结果表明,ＰＥＳ／ＴＫ复合材料各个样品的熔体皆为非牛顿流体,在低剪切应力时呈现剪切增稠趋势,在高剪切应力区呈现剪切变稀趋势,７５／２５样品为假塑性流体。     

溶胶凝胶法合成钛酸铝微粉研究

用sol-gel法合成AL_2TiO_5陶瓷微粉,主要研究影响胶化时间的因素和煅烧温度对其晶相的影响,并用DTA,TG及DTG对合成产物进行分析。     

镧钛酸铅铁电薄膜的快速热处理研究

以不同热处理温度和保温时间的组合条件，对在不同种基片上制备的镧钛酸铅薄膜进行了快速热处理，主要研究了快速热处理工艺对薄膜相结构、化学组成、形貌的影响，并给出了典型样品的介电和铁电性能。实验结果表明：在较宽的热处理温度和保温时间薄内，都可得到无裂纹、均匀致密、晶粒大小约２０ｎｍ的纯钙钛矿结构薄膜；不同的基片对薄膜的结晶有不同的影响；铂电极有利于薄膜结晶。在７００℃保温６０ｓ的样品，１ｋＨｚ时介电常数     

多晶铁电薄膜的双层结构模型

实验观察发现：多晶钛酸铅铁电薄膜的表面层与体内层有不同的结晶和相变特性。根据实验结果，可假设多晶铁电薄膜具有与铁电微粉类似的特征，将表面层描述为小晶粒低应变层；体内层描述为大晶粒高应变层；所有晶粒均被一薄的非铁电层覆盖。     

沉淀法合成钛酸铝陶瓷粉末的研究

用共沉淀法和半醇盐法成功地合成出具有高熔点，低热膨胀系数特性的钛酸铝陶瓷粉末材料，主要研究影响共沉淀产物的主要因素：溶液浓度，ｐＨ值和温度等。并提出合成过程中最佳工艺条件，对合成Ａｌ２ＴｉＯ５初产物做ＤＴＡ热分析实验表明，半醇盐法制备的Ａｌ２ＴｉＯ５粉末结晶温度最低，粒径小，分散均匀。     

添加物对PLZT陶瓷的降温和改性作用

本文研究了４Ｂｉ２Ｏ３·Ｂ２Ｏ３助熔剂对ＰＬＺＴ瓷料的降温效果以及ＢａＳｎＯ３的固溶和Ｂａ２＋的Ａ位取代对掺Ａｇ＋的ＰＬＺＴ反铁电组分的改性作用，获得了中温烧结的ＰＬＺＴ系Ｘ７Ｒ瓷料．其主要性能指标达到：ε２９８Ｋ＝２０００±１００；ｔｇδ＜５０×１０－４；ρｖ＞１０１３Ω·ｃｍ；△ε／ε２９８Ｋ＜±１０％；Ｅｂ＞１．１×１０４ｋＶ／ｍ；Ｔｓ＝１３４３～１３９３·Ｋ     

低温烧结的PZT-BF-BCW系压电陶瓷

本文研究了锆钛酸铅(PZT)——铁酸铋(BF)——钨铜酸钡(BCW)系压电陶瓷的低温烧结特性,给出了组成对烧结温度及性能的影响结果。获得了烧结温度低(935℃/0.5h)且性能优良的配方:0.92PZT-0.05BF-0.03BCW+0.08wt%CuO,其主要电性能:K_p为47%,Q_m为950,ε_(33)~T/ε_0为850。并应用XRD、SEM和DTA等手段探讨了该系统瓷体的相组成和低温烧结机理。     

钛酸酯催化合成 3-乙酰氨基-N,N-二-(β-烷酰氧乙基)苯胺

用钛酸酯为催化剂,通过3 乙酰氨基 N,N 二 (β 羟乙基)苯胺与乙酸及丙酸的酯化反应,合成了3 乙酰氨基 N,N 二 (β 烷酰氧乙基)苯胺对影响反应的因素进行了讨论.用IR、NMR对结构进行了表征,酯的收率为98%以上.     

钛酸四丁酯引发聚己内酯接枝改性淀粉的制备

以玉米淀粉和己内酯单体为原料,以钛酸四丁酯为催化剂,通过原位开环聚合制备聚己内酯接枝改性淀粉,并利用红外光谱和差热扫描对接枝改性淀粉和玉米淀粉进行了比较. 进而制备了接枝改性淀粉和聚己内酯的共混材料,并对共混材料的力学性能、疏水性和界面性能进行评价. 结果表明,对淀粉进行接枝改性后能够有效改善共混材料两相的相容性,且共混材料的力学性能有所提高. 共混材料的疏水性得到改善,吸水前后材料力学性能变化不大.