原子力显微镜形貌像成像质量的研究

基于针尖和样品之问的各种相互作用力，原子力显微镜可用于样品表面形貌、摩擦力等各种物理特性的研究。仪器参数的设定和干扰的排除是提高样品表面形貌像成像质量的关键。通过实验发现由原子力显微镜扫描得到的材料表面形貌像中常出现拖曳、条纹，影响了形貌像的成像质量。针对特定工艺条件下的纳米电子功能薄膜样品，着重研究了振幅参数（Amplitude reference）、积分增益（Integral gain）、比例增益（Proportiong ain）、衰减增益（Attenuation gain）和速度增益（Speed gain）对形貌像成像质量的影响。根据这些规律找出消除或减轻样品表面形貌像中出现拖曳、条纹的方法。     

球磨环境对机械合金化合成纳米TiC的影响

以Ti粉和活性炭粉作为原始粉末在行星式球磨机(QM—ISP2)上进行高能球磨，分别在低真空、高真空、Ar、空气 H2和H2等不同球磨环境下机械合金化合成TiC。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等技术对合成产物进行物相和形貌分析，并用热力学和Maurice-Courtney模型等理论对其合成机理进行了探讨。结果表明，在5种不同球磨环境下用Ti粉和活性炭粉都能合成TiC，其中在H2环境下的合成速度最快。H2对TiC的机械合金化合成具有加速作用，其机理是H2不仅能促使Ti与活性炭粉末细化，使断裂的新鲜表面保持清洁，而且能使Ti的活性增强。     

惯性步进扫描器控制接口的设计

本文介绍了一种采用惯性步进型扫描器的新型扫描隧道显微镜(STM)的设计，研制出了一种用于该扫描器的接口电路。文章重点对该扫描器的位置粗调驱动电路和隧道电流前置放大电路等接口进行了设计，并完成了该接口的制作和调试，最后在使用该接口电路的新型STM上扫描出具有较高分辨率的镀金铜的表面形貌。测试表明，该接口工作稳定，使用方便，并能发挥该惯性步进型扫描器高稳定性的优点。     

WC-Co硬质合金的微观组织与断裂强度

结合ＷＣ－Ｃｏ硬质合金生产的质检工作，采用ＪＣＸＡ－７３３型电子探针显微分析仪和３０１４型Ｘ射线衍射仪，对硬质合金的断口形貌以及孔隙、夹杂物、η相等断裂源进行了观察与研究，确定了降低合金断裂强度的重要结构因素。探讨了ＷＣ－Ｃｏ硬质合金断裂的机理。     

以形写神理论溯源

以形写神即通过对外在形貌的描写以突出人物的内在精神，它是中国文学艺术史上一种重要的方法。以形写神源于先秦，在汉代得到发展，魏晋六朝时期正式形成。     

基于β—环糊精／TiO2纳米级多孔敏感膜的压电石英微天平有机气体传感器

采用压电石英微天平、红外吸收光谱技术对β-环糊精在TiO2纳米粒多孔膜上固载过程进行了研究.基于TiO2纳米粒多孔膜,实现了β-环糊精在压电石英晶体表面的高容量固载(约4μg*cm-2).β-环糊精/ TiO2纳米粒膜修饰的压电传感器检测苯环化合物蒸气具有响应时间快、可重复使用、灵敏度高的特性;25℃下, 对于氯苯、硝基苯、O-二甲苯,m-二甲苯,p-二甲苯的检测下限分别为120 ng*ml-1、100 ng*ml-1、40 ng*ml-1、40 ng*ml-1、40 ng*ml-1,响应时间约为1 min.含量为其10倍的丙酮、乙醚、乙醇蒸气存在对上述有机物气体的测定不产生干扰.     

毛刺及棱边质量形貌自动检测系统

在给定毛刺及棱边质量检测参数的基础上，运用传感器技术和计算机技术，开发研究了一种适用于精密零件毛刺及棱边质量自动检测的系统，并给出了毛刺质量的分析结果。     

强直电流伸展弧CVD硬质合金金刚石涂层工具

采用自行研制的强电流直流扩展电弧设备对酸浸和渗硼预处理的YG6刀片进行了金刚石薄膜涂层沉积，并对放于不同位置的沉积刀片表面涂层的激光Raman谱和SEM形貌进行了分析、研究。结果表明：渗硼预处理工艺优于酸浸预处理工艺；在渗硼处理的GY6刀片上，沉积的金刚石薄膜涂层具有大面积、均匀性好和质量高的特点。     

氯化镁电解阴极过程机理及液镁析出状态的研究

在７００～７５０℃的温度条件下，应用电化学稳态技术和暂态技术，对氯化镁电解镁离子的放电过程和液镁成核过程进行了研究．在此基础上考察了工艺条件对液镁析出状态的影响．研究表明：镁的析出过程是包含两个电子的受扩散过程控制的简单反应；液镁析出的相过程为三维瞬时成核过程．导出了成核速度和核心生长速度表达式．电解质氯化镁浓度、电流密度、电解温度和电极材料均能影响液镁析出状态．     

亚快速凝固结晶取向对强晶形态选择的影响

采用区域熔化定向凝固装置，对冷却速度在１３－１３０Ｋ／ｓ范围内Ｎｉ－５％Ｃｕ合金的结晶形貌研究表明：在温度梯度１３００Ｋ／ｃｍ条件下，晶体生长速度ｖ＝５００μｍ／ｓ时，不同结晶取向晶粒的结晶形貌不同；当晶体生长速度ｖ＝８００μｍ／ｓ时，不同结晶取向晶粒的细胞晶间距不同，亚快速凝固条件下，晶体生长方向对结晶形貌的影响非常显著。