计算元素电离势的新方法

根据中心力场模型，应用数学插值原理发展了一种计算元素电离势的新方法，据此可根据已知元素的电离势对其它元素的电离势进行计算或预测，对200多个数据点的计算结果表明，元素电离势计算值与实验值的一致性令人满意，平均误差1.14eV.     

利用计算机求高次方程的根

本文主要介绍高次方程的求解方法,以及这些方法在计算机中是如何实现的,从而免去了大量的乃至无法实现的人工计算。     

Vandermonde函数矩阵的逆与若干函数恒等式

利用熟知的 Ｌａｇｒａｎｇｅ 插值公式可求得由 Ｖａｎｄｅｒｍ ｏｎｄｅ 行列式确定的 Ｖａｎｄｅｒｍ ｏｎｄｅ 函数矩阵的逆矩阵，进而得到若干通常难于证明的函数恒等式和一些非常有趣的结果     

一类n项和数的表达式

用Ｃｈｅｂｙｓｈｅ多项式的零点为节点的Ｌａｇｒａｎｇｅ多项式逼近高阶多项式时，误差公式中出现一类ｎ面和数。现给出此类和表达式，并用归纳法证明之。     

(HAlNH)_n(n=1～15)团簇的结构与稳定性

用密度泛函理论（ＤＦＴ）的Ｂ３ＬＹＰ／６－３１Ｇ＊方法，对（ＨＡｌＮＨ）的低聚物（ＨＡｌＮＨ）。（ｎ＝１～１５）团簇的几何构型、电子结构、振动光谱和化学热力学性质进行了研究，得到了它们的基态结构．比较了（ＨＡｌＮＨ）ｎ团簇骨架和（ＡｌＮ）ｎ团簇的差异．结果表明，（ＨＡｌＮＨ）ｎ团簇骨架是由Ａｌ－Ｎ键形成的四元环和六元环构成的，每一个Ａｌ或Ｎ原子形成４个化学键，其中３个为Ａｌ－Ｎ键，１个为Ａｌ－Ｈ或Ｎ－Ｈ键．（ＨＡｌＮＨ）ｎ（ｎ＝１－１５）团簇中Ａｌ－Ｎ键的数目与对应的（ＡｌＮ）ｎ团簇相等．（ＨＡｌＮＨ）ｎ（ｎ＝１—１５）团簇结构的稳定性幻数序列为： ｎ＝ ２，４， ６， ８， １０， １２， １４等偶数．     

LaNi5合金储氢平台压力的模拟

基于密度泛函理论(DFT),采用线性缀加平面波展式结合改进的局域轨道方法 (APW+lo)与量子化学热力学函数关系,计算LaNi5晶胞逐次吸1到7个氢过程中的标准摩尔反应吉布斯函数,从而得到333 K,373 K两个温度下平衡压的变化曲线,计算得到的模拟平台压与实验结果 基本一致.     

三次样条插值对人工神经网络预测软土固结精确度的影响

软土固结会引起漫长的地基沉降。人工神经网络(ANN)是预测地基沉降的一种常用工具。为了进行预测,需要使用一定的前期沉降观测数据训练ANN。采用两类训练方法:一类是直接使用观测数据训练网络,这是普通方法;一类是在观测数据中借助三次样条插值(CSI)技术进行等时距插值,然后一并利用观测数据和插值训练网络。三次样条插值是通过求解三弯矩方程组,在曲线的非连续数据点之间形成填充数据的技术。借助Mat Lab的函数Spline,可以完成插值计算过程。结果发现,在不同固结阶段进行预测,引入CSI插值训练的网络预测准确度均高于直接用观测数据训练的网络。这一发现,对于工程实践具有重要意义。     

镍催化支链1,3-二烯的氢烷基化反应机理探究（英文）

随着算法和理论化学的发展，量子化学计算已被用于解释和预测各种化学实验。镍催化共轭烯烃的氢烷基化反应是一类重要的有机化学反应，其机理一直是有机化学家关注的焦点。本文利用密度泛函理论（DFT）对Mazet课题组开发的一个氢烷基化反应进行了详细的研究，得到了该反应可能的机理模型。在此背景下，对反应的极具吸引力的区域选择性进行了探讨和合理解释。     

基于子空间插值的领域适应学习

为了寻找一种更好的目标分类器,提出了基于子空间插值的领域适应学习方法.从源域出发,依次训练中间领域字典,缩小样本分布差,形成一条平滑的虚拟路径,逐步适应目标数据,达到提高识别性能的目的.在CMU-PIE上进行了实验,结果表明此方法较其他领域适应学习方法有更好的分类性能.     

Growth mechanism of liquid Hg/solid β-HgS metal-semiconductor heterostructures

Density functional theory （DFT） was utilized to simulate the reactions occurred in the mixture solution of cysteine and Hg（II） ions with the ratio 〈 2. Simulation result shows that Hg ions will coordinate to cysteine by the thiol groups with the form of S-Hg2 and S-Hg3; and moreover, the content of free Hg ions can only be reduced by these two forms. OH- plays an important role in the growth of β-HgS, because its nucleophilic substitution reaction supplies plenty of Hg-S-Hg radicals, which will be adsorbed onto the surface of liquid mercury ball and form the precursor of 13-HgS（111） plane. Three valent bonds adsorption of Hg-S-Hg radicals onto the surface of Hg ball has more adsorption energy （-32.768 kcal mol-1） than that of two valent bond adsorption （-20.882 kcal - mol-1）. Hg balls will stop growing after completely covered with Hg-S-Hg radicals and their size will be limited. The growth direction of β-HgS is parallel to the ＂repel- ling＂ force, that is [111] direction in β-HgS lattice. The calculated results are in good agreement with the experimental observations, demonstrating that the DFT method can be taken as a very useful tool to interpret the solution reactions that cannot be solved by conventional methods.