KCl在NaY沸石中扩散的正电子谱学研究

用正电子湮没寿命谱学的方法研究微量水对KCl在NaY沸石中扩散的影响, 实验分别测量了有吸附水与脱水后担载量为10%的KCl/NaY寿命谱.所有寿命谱经4个寿命分量分解,其中三、四寿命分量分别对应β笼与超笼微环境状态.实验表明在无水常温条件下KCl不能自发地在NaY沸石中扩散,微量水对KCl在NaY沸石中扩散有非常明显的影响.     

安德森与正电子的发现

1932年,安德森通过对宇宙射线的仔细研究,发现了第一个反物质粒子——正电子,并因此获得1936年诺贝尔物理学奖.2012年恰逢正电子发现80周年,现在回顾正电子发现的历程以及对正电子发现做出贡献的科学家是很有意义的.本文围绕正电子的发现这一历史过程简要介绍安德森的生平以及狄拉克关于正电子存在的预言,并介绍了中国物理学家赵忠尧所做的工作.     

多巴胺D2受体PET成像在制备帕金森病大鼠模型中的作用

将23只帕金森病(PD)成功模型大鼠分别进行11C-Raclopride PET显像,ROI方法测量模型大鼠两侧纹状体/小脑比值并进行统计分析,比较两侧有无显著性差异。正常与模型大鼠分别进行TH免疫组化染色。结果表明,模型大鼠毁损侧纹状体放射性明显上升,两侧纹状体/小脑比值统计比较,p值为0.000,具有显著性差异;同时,模型大鼠TH染色黑质处阳性神经元数量减少。通过PET多巴胺D2受体成像在体显示PD模型大鼠毁损侧纹状体D2受体状态,再结合行为学观察可作为证实模型成功的标准之一,为基础研究和临床诊断PD提供了一种分子成像工具。     

钆掺杂巨磁阻材料Sr_2FeMoO_6正电子湮没谱

采用固相反应法成功制备了钆掺杂样品Sr2-xGdxFeMoO6(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2).X射线衍射对样品的检测结果表明,在整个掺杂范围内样品单相性很好;利用正电子湮没技术对样品缺陷进行了研究,掺杂使微缺陷复合成大的空位团,导致缺陷尺寸变大;采用标准四引线法测量了样品电阻率随温度变化,反位缺陷、缺陷尺寸及GdFeO3和GdMoO3团簇是影响样品电阻率的重要因素.     

静电场时效处理温度对GH4169合金点缺陷的影响

将静电场时效处理应用于GH4169镍基高温合金,以研究静电场对合金内部点缺陷的影响.结果表明:500℃无电场时效处理所提供的能量不足以使一些处在正常点阵位置上的原子跳出能垒而形成新的单空位,但可促进大量处于畸变位置上和邻近空位的原子实现再次的跃迁.强静电场的施加使合金内部不带电原子产生梯度力,加速了原子的振动.在600,700和800℃时效20 h过程中施加8 kV/cm强静电场,其平均正电子湮没寿命提高6%~7%,增大了合金内部平均空位尺寸.     

纳米α-Fe_2O_3的制备及其正电子湮没谱学研究

对氧化铁颗粒进行了X射线衍射谱(XRD)测量和正电子湮没寿命谱(PALS)测量,分别运用Jade和Lifetime软件拟合数据,研究了纳米氧化铁颗粒的结构、缺陷以及自由电子密度.XRD测量结果表明了氧化铁是简单六方晶系,空间群是R-3c(167),其相应的点阵常数分别是三个基矢的长度a=b=0.530 42 nm,c=1.374 60 nm.PALS测量结果表明了正电子在氧化铁材料中的寿命成分有三种,值分别约是τ_1=150.7 ps,τ_2=333.0 ps,τ_3=725.0 ps,主要寿命成分是短寿命τ_1和中等寿命τ_2两种,分别对应的缺陷种类是近似单空位大小的自由体积缺陷和微孔洞缺陷,且其对应的强度比I_1/I_2值为1.52,表明实验试样的界面缺陷以单空位为主,验证了正电子的寿命越短,湮没率越大,则自由电子密度越大.     

精理博约驰骋医海——记中国人民解放军总医院第一附属医院核医学科主任欧阳巧洪教授及其团队

20世纪70年代以来,由于单光子发射计算机断层显像（SPECT）和正电子发射计算机断层扫描（PET）技术的发展,以及放射性药物的创新和开发,使核医学显像技术取得了突破性进展。它和CT、核磁共振、超声技术等相互补充、彼此印证,极大地提高了对疾病的诊断和研究水平,故核医学显像是近代临床医学影像诊断领域一个十分活跃的分支和重要组成部分。     

用正电子湮没寿命谱研究锰锌铁氧体纳米晶的缺陷结构

采用溶胶一凝胶法,在不同退火温度下得到了3种不同粒径的锰锌铁氧体纳米晶．利用X射线衍射研究了纳米晶的晶体结构和粒径,借助正电子湮没寿命谱仪讨论了纳米晶的缺陷随粒径的变化．结果显示,所得锰锌铁氧体纳米晶为立方尖晶石结构,且随着温度的升高纳米晶不断长大;随着粒径的增大,纳米晶的表面缺陷减小,晶界间的自由体积发生复合．     

Gd2O3-MgF2膜的正电子湮没研究

用²²Na正电子湮没寿命谱学法检测石英片上Gd₂O₃-MgF₂膜.阐明了正电子湮没参数和膜结构的关系.     

SmSrMnO巨磁电阻材料晶格不稳定性研究

对Ｓｍ ２／３Ｓｒ１／３ ＭｎＯ３＋ δ巨磁电阻材料样品在７７ Ｋ 至室温范围进行了正电子寿命谱和多普勒展宽谱测量．结果显示,正电子平均寿命τｍ 随着温度的降低在２００～１５０ Ｋ 温区出现与晶格结构不稳定有关的反常下降, 这一过程发生在磁有序起始温度之前;而伴随着绝缘体－金属型转变（１１５ Ｋ）,多普勒展宽谱参数Ｓ明显增加,表明了电子的离域化．