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不同压力下Ti3SiC2陶瓷的干摩擦磨损性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用反应烧结技术制备了Ti3SiC2陶瓷.利用环盘摩擦磨损试验机,研究了压力(载荷)对反应烧结Ti3SiC2陶瓷的干摩擦磨损性能的影响.试验在环盘摩擦试验机上进行,以低碳钢为对摩体,温度为25℃,相对湿度为23%~25%,滑动时间为0.5 h,滑动速度为0.5 m/s,法向压力为20~60 N.试验结果表明:随着压力的增大,Ti3SiC2陶瓷的干摩擦因数和磨损率均呈现先增加后降低趋势,干摩擦因数正压力为30 N时最大,而磨损量则在压力为40 N时最大.利用扫描电镜分析了压力对Ti3SiC2陶瓷的干摩擦磨损性能的影响,探讨了其摩擦磨损机理:当压力较小时,磨损以磨损表面发生流变和Ti3SiC2粒子脱落造成的磨粒磨损为主;当压力超过40 N时,则以氧化膜的轻微划痕和轻微黏着磨损为主. 相似文献
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针对分析目前住宅小区的特点,设计了基于AT89S52为控制处理器的小区智能单元门禁系统,外围扩展通信接口、非接触式IC卡接口、4×4键盘、液晶显示和存储模块等。该系统能通过射频卡或者密码开门,且可通过通信接口与小区主机进行通信控制,从而实现了小区智能化控制管理。 相似文献