Al2O3或TiO2掺杂的ScSZ固体电解质纳米晶薄膜的制备及表征

利用溶胶-凝胶旋涂法,在单晶硅基片(100)上分别制得了厚度约为0.31μm的(Al₂O₃)_0.10(Sc₂O₃)_0.08(ZrO2)_0.82和0.36μm的(Sc₂O₃)_0.125(TiO₂)_0.175(ZrO₂)_0.70固体电解质纳米晶薄膜。烧结实验结果表明,两种薄膜均在650℃以上开始晶化,温度越高,晶化越完全,在800℃可完全晶化;所得纳米晶颗粒呈纯的萤石结构立方相;铝和钛掺杂的纳米晶颗粒的平均大小分别为47和51nm。铝掺杂的薄膜非常均匀致密,然而,钛掺杂的薄膜存在少量微气孔。     

掺铒光纤放大器特性研究

在放大器增益特性实验研究中,采用两个９８０ｎｍ的ＬＤ作为泵浦光源进行双向泵浦,研究了放大器的增益与光纤长度、泵浦功率以及信号光功率的关系,获得了３３ｄＢ的最大净增益。计算了放大器的噪声系数,得到具有良好的噪声特性的结果。     

Na_3AlF_6-5%Al_2O_3熔体对铝电解机械掺杂碳阳极的润湿性研究

采用机械掺杂法制备了掺有不同复合氧化物粉末的碳阳极,并测试了熔融状态下Ｎａ３ＡｌＦ６５％ Ａｌ２Ｏ３ 熔体对不同掺杂电极的润湿性．实验结果表明,掺有ＬｉＡｌＯ２ 和ＣａＡｌ２Ｏ４ 的碳阳极对熔盐显示了较好的润湿性．     

离子注入MOS结构少子产生寿命的确定

本文分析了非均匀掺杂衬底ＭＯＳ结构的电流和电容对线性扫描电压的瞬态响应，采用较精确的产生区模型，提出了瞬态电流和瞬态电容联合技术测量非均匀掺杂衬底ＭＯＳ结构电容少子产生寿命的方法，本方法无需计算图形积分和衬底的杂质分布，因而简单实用。     

离子束辅助对真空电弧沉积掺氮二氧化钛薄膜特性的影响

在氮氧混合气体中，通过离子束辅助，采用真空电弧沉积了氮掺杂的TiO2薄膜样品，研究了离子束流对掺氮二氧化钛薄膜的结构、光学性质和光催化性能的影响。实验结果表明：离子束辅助沉积的薄膜为非品态结构，薄膜经500℃热处理后向锐钛矿转变，且锐钛矿的（101）面的峰最强。通过UV分析发现离子束辅助沉积的掺氮二氧化钛薄膜的吸收峰发生红移，其光催化活性随着离子束流的增大而减小。     

掺氧多晶硅薄膜退火特性的研究

掺氧多晶硅薄膜作为钝化膜已成功地应用于半导体器件.为了适应器件制造过程中的高温热处理,有必要探讨膜的高温热退火物理效应.本文从薄膜的腐蚀速率、膜的厚度以及膜的折射率随不同退火温度的变化,显示了掺氧多晶硅薄膜经高温退火的致密效应.而从膜的红外吸收谱测量表明膜中含氧量基本不变,但Si-O键吸收峰随着退火温度的升高向高频方向移动,并且愈益接近SiO_2的红外吸收谱.由此说明高温热退火使无定形的生长层薄膜再结构为Si多晶颗粒和SiO_2.使膜中SiO_2成份随着退火温度升高也跟着增加.     

掺铒光纤放大器的理论模型与增益,噪声特性分析

为使理论分析与实验结果更接近，作者介绍了ＡＳＥ和光纤的本征衰耗的ＥＤＦＡ理论模型，并主要对ＥＤＦＡ的增益，噪声特性进行了较详细的分析。     

利用密度泛函理论研究苄硫醇在石墨烯表面的吸附机理

用密度泛函理论方法对C_7H_7SH在纯的、缺陷的和Hg/Pd掺杂的石墨烯表面的吸附机理进行了详细的研究.主要考虑了两种模型:情况1为C_7H_7SH平躺在各种石墨烯表面;情况2为C_7H_7SH垂直地放在各种石墨烯表面,且巯基靠近表面.结果表明,C_7H_7SH初始构型对它们之间的相互作用在某种程度上有一定的影响.情况1较情况2有较大的吸附能.此外,情况1中吸附能的结果显示C_7H_7SH可以更好地与缺陷的、Hg/Pd掺杂石墨烯表面紧密结合.这一结论同态密度、差分电荷密度的分析也是一致的.     

Zn1-xAlxO粉末样品的制备及结构表征

采用固相反应法制备了Zn1-xAlxO粉末样品。通过X射线衍射(XRD)和红外光谱(IR)对粉体的结构和光学性能进行了表征。结果表明:随着Al掺杂浓度逐渐加大,样品ZnO(101)衍射峰的峰位向高衍射角方向移动,x=0.024样品的晶粒大小随温度的升高而增大;通过FT-IR发现Al掺杂样品在427.78 cm-1和487.39 cm-1附近出现了Zn-O的吸收带,表现出良好的红外吸收特性。     

掺铒光纤放大器的一种新的建模方法和系统设计

阐述了掺铒光纤放大器（EDFA）的一种新的建模方法。介绍了研制的泵浦波长为980mm的EFA系统。该系统对泵浦实行恒流和恒温控制并可对输出功率实行恒功率控制。EDFA工作于恒功率状态时，输出信号功率为16×（1±0.02)dBm。该系统可用于长距离，大容量，高速度的波分复用系统和CATV系统中。