浓硫酸氧化处理对活性炭电容特性的影响

采用高浓度硫酸对椰壳活性炭（AC）和杏壳活性炭（LAPC）进行液相氧化改性处理，分别得到ACN和LAPCN两样品。在质量浓度为30％的KOH电解液中，50mA／g电流密度下，氧化后的椰壳炭和杏壳炭的质量出电容与未氧化样品相比增幅均在35％以上。运用低温N2吸附．XPS表征表面性质。结果表明，高浓度H2SO4处理会降低材料比表面积和孔容，而对灰分含量和孔径分布的影响很小，且材料表面氧含量也提高了。因此，含氧官能团的增多，由其产生的赝电容随之增大，进而提高了材料的电容性能。     

石墨烯的叔丁基对苯二酚修饰及其增强的电容行为

超级电容器是近年来出现的一种新型储能器件,它与目前广泛使用的各种储能器件相比,其电荷存储能力远高于物理电容器,充放电速度和效率又优于二次电池.此外,超级电容器还具有对环境无污染、循环寿命长、     

组合型铝电解电容器的研制总结

研制完成高压、宽温、组合型400 V85μF铝电解电容器,详细说明了原材料选择的要求与作用,在工艺生产中重点工艺做了详细说明。     

水热法制备Co3O4及其超电容性能的研究

以硝酸钴为原料、尿素为沉淀剂、柠檬酸三纳为模板,用水热法制备了Co3O4,并采用循环伏安、恒流充放电等方法研究了样品的电化学性能.结果表明,Co3O4电极在6mol·L-1KOH溶液中、在0～0.4V电位范围内、电流密度为5mA·cm2时,单电级比电容可达900F·g-1.     

轧制对3003铝箔中第二相粒子影响的研究

铸轧3003阴极电子铝箔具有生产成本低,腐蚀后强度高、容量较高、氯离子含量较低等优点,被广泛应用于铝电解电容器的阴极箔,市场前景十分广阔。3003阴极电子铝箔中第二相粒子对铝箔腐蚀后的比电容产生很大的影响,因此有必要对3003阴极电子铝箔轧制过程中第二相粒子单位面积数量及其尺寸、形状等进行研究。     

BX特性MLCC电容器的决定因素和设计方法

<正>BX特性电容器是《有可靠性指标的无包封多层片式瓷介电容器总规范》(GJB192A-98)中规定的唯一的军用二类电容器,该类电容器不仅要满足TC特性要求,还必须满足TVC特性要     

高压全膜电力电容器用新浸渍剂苄基甲苯的研究

进行了由氯化苄与甲苯合成苄基甲苯的工艺研究,筛选了精制方法.合成和精制后的油品,检测了理化电性能,作成模型电容器进行各种试验,表明该绝缘油具有优异的性能.     

低压电容铝箔国产化的研制(英文)

本文利用金相、X光和电子显微镜等技术,对国产和进口低压电容器用铝箔的成分和组织结构等进行了对比分析。通过对铝箔直流腐蚀形貌的观察,研究了提高铝箔比电容的机理。成功地开发了一种新型国产电容铝箔,经工厂实际生产应用证明,各种技术指标均达到进口电容铝箔的水平,能取代进口箔,具有巨大的社会效益和经济效益。     

半导体陶瓷边界层电容器的性能极限和设计

半导体陶瓷边界层电容器因其优异的物理性能而受到广泛重视.但自60年代初发明BaTiO_3半导瓷边界层电容器以来,边界层电容器的物理性能一直没有定量的理论描述,使得器件的设计和制造始终存在许多问题.由晶界势垒模型对半导体陶瓷边界层电容器的物理性能及其极限作定量分析、对边界层电容器的性能作出设计并对提高性能的方法进行探讨.     

背面氩离子轰击改善MOS系统界面特性和击穿特性

在室温下用低能量Ａｒ＾＋轰击ＭＯＳ电容器肾面，能改善ｉＯ２－Ｓｉ系统的界面特性和击穿特性。结果表明，随着轰击时间的增加，固定电荷密度、界面态密度和漏电流减少，高场击穿的比率增大，然后这些参数变化平缓并开始呈恶化趋势。轰击能量为５５０ｅＶ和束流密度为０．５ｍＡ／ｃｍ＾２时的效果比在３５０ｅＶ和０．３ｍＡ／ｃｍ＾２时的好。