一种新的QoS保证的快速组播路由算法

提出了一种新的服务质量保证的组播路由算法。算法使用了一个修改的斯坦利树近似算法来构建时延有界的低代价组播树,再通过最小时延路径与其他尚不在组播树的组内节点连接,并消除环路。理论和仿真表明,新算法与其他一些时延有界组播路由算法一样有较好的性能,并且有较小的复杂度。     

基于粗集与PCNN的图像预处理

研究了如何将粗集(Rough Set)与脉冲耦合神经网络(PCNN-Pulse Coupled Neural Network)相结合，对被噪声污染的图像进行对比度增强处理，使图像清晰，从而便于后续的处理。同时，提出了基于粗集与PCNN的图像增强算法。计算机仿真结果表明，使用基于粗集与PCNN的图像增强算法，可有效地对被噪声污染的图像进行图像增强，减少图像噪声，增加图像对比度，使图像更加清晰，且图像增强的结果优于常规的方法。     

物流配送车辆优化调度的综述

物流配送车辆优化调度问题是一类具有广泛应用的强NP难题,本文综合国内外多种参考文献,阐述了该问题的定义和分类,具体介绍了不同情况下的常见模型和主要算法,并就目前该问题的研究发展情况做了简要分析和进一步的展望.     

“三类人”与伊拉克的重建难题

伊拉克有自己的特殊情况:一个统治了24年的政权刚刚倒台,一场由美英发动的战争刚刚结束,这个国家的局势与海湾、中东及整个伊斯兰世界息息相关。所有这些使伊拉克人成为一个更为复杂的群体。几位专家谈到这个问题时,分析了目前在这个国家有着特殊意义的三类人———其中有两类还是外国人。选择这三类人来谈论,是因为:其一,8月29日,伊拉克什叶派圣城纳杰夫发生爆炸事件,伊拉克什叶派最高精神领袖哈基姆在爆炸中遇害。伊拉克有60%的老百姓是什叶派穆斯林,这个事件对伊拉克局势产生重大影响;其二,自8月以来的几次爆炸事件表明,伊拉克的抵抗运动越发严重,参与的人员越发复杂。美国国防部副部长沃尔福威茨认为,阿拉伯“圣战者”已渗透到伊拉克;其三,美军在伊拉克战争中速战速胜,但没能速战速决,可以说美军在伊拉克遇到了意想不到的困难。他们错过了收买人心的头三个月黄金时期,又将如何面对接下来的关键的三个月?—————主持人手记     

银杏叶提取物治疗新生儿缺氧缺血性脑损伤的机制

目的 探讨银杏叶提取物对新生儿缺氧缺血性脑损伤治疗作用的机制．方法 采用银杏叶提取物(GBE)治疗75例新生儿缺氧缺血性脑病(HIE)，分别检测治疗前后患儿血浆中血小板活化因子(PAF)、一氧化氮(NO)和丙二醛(MDA)的含量．结果 治疗前后不同临床分度HIE患儿的PAF、NO和MDA含量均有显著性差异，临床疗效显著．结论 银杏叶提取物在治疗新生儿缺氧缺血性脑损伤方面有着较好的应用前景，其作用机理与GBE中的银杏萜内酯成分有关。     

PECVD氮化硅薄膜的沉积和退火特性

利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积了氮化硅薄膜，反应气体为氨气和硅烷。这些薄膜在不同条件(温度、时间和气氛)下进行了炉温或快速退火。对太阳电池而言，氮化硅薄膜不仅是有效的减反射层而且也有表面钝化和体钝化作用。利用椭圆偏振光谱、反射谱、红外吸收谱和准稳态光电导(QSSPC)分析了氮化硅薄膜的特性。实验发现随着退火温度的增加，氮化硅薄膜的厚度下降而折射率增加，可以归因于在退火过程中，薄膜愈加致密。红外吸收谱的研究发现，氮化硅中氢的含量在退火过程中有明显的下降，而QSSPC测量的样品寿命有同样的变化。这些结果显示氮化硅的钝化作用与其中的氢含量有关。     

基于Kruppa方程的相机分步自标定方法

提出一种运动变焦相机分步自标定的,邓事先标定相机的纵横比和主点，在假设像素为矩形及主点为图像中心的情况下，基于Kruppa方程线性求解焦距，算法中只需输入基础矩阵，不必预先进行任何类型的投影阵分解或投影束校正。线生求解焦距避免了非线性法的不确定性，实际数值实验表明该方法简单实用。     

改进适应值函数的遗传算法

比较、分析了几种基于适应值的选择策略求解极小值问题时的标准适应值函数,提出了一种随着进化代数的增加逐步增大适应值相互影响的标准适应值函数,并对它们的收敛速度和收敛精度进行了性能分析.以几个典型的函数优化问题为例进行仿真计算,取得了比较满意的结果.     

生物芯片的作用原理及其临床应用

生物芯片是分子生物学及相关学科高速发展的结晶 ,主要是通过微加工技术将大量的基因序列或抗体蛋白等有序地固定在固相载体表面 ,形成储存有大量信息的微阵列 ,再与荧光或同位素标记的样品杂交 ,经计算机控制、分析 ,从而实现对基因、配体、抗原等生物活性物质高效快捷的测试分析 ,它将在许多应用领域发挥重要作用 尤其在临床诊断与新药开发中具有深远的社会、经济效益     

c轴取向Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备与光学性质

Bi-4Ti-3O-(12)(BIT)是一种重要的铁电材料,Curie温度为675℃,自发极化矢量位于a-c平面上有两个分量,在外场作用下可以各自独立地反向,且沿c方向矫顽场强很低,为3.skV/cm.开关速度快,抗辐射能力强,抗疲劳特性好.在无外场作用下能保持记忆,具有与半导体工艺集成的潜力.特别是c轴取向的BIT薄膜不仅能作电场记忆,还能实现光记忆,很适合作铁电存储器、电光器件、光存储显示材料,具有广泛的研究开发和应用前景,该材料已成为当今国际上研究的主要材料之一.