HAP的结构及物理性能

本文介绍了ＨＡＰ的晶体结构及其物理性能。     

烧结工艺对碳纤维增强银、铜复合材料物理性能的影响

金属基复合材料的工艺性能是至关重要的性能之一。本文通过对碳纤维增强银、铜复合材料物理性能的测定证实了复合材料的烧结工艺对其物理性能存在显著影响。在复合材料烧结成型过程中由于碳纤维的作用不能任意沿用普通粉末冶金工艺方法。     

镁合金材料的应用及其加工成型技术

综合介绍了镁合金材料的基本性能、产品优越性和典型产品的应用,着重分析讨论了镁合金材料加工成型技术和存在的问题,以及我国镁合金材料研究和应用的发展现状。并就镁合金材料的应用前景、开发潜力和尚需解决的问题等方面进行了探讨。     

均质条件对明胶乳液膜物理性能及控释性的影响

针对蛋白膜材料机械性能和水汽阻隔性能较差的问题,采用微射流乳化的方法制备了新型橄榄油/明胶乳液膜材料,分析了均质条件对成膜乳液粒径分布和乳液膜物理性能的影响,并探讨了膜材料中油滴分布与膜材料的机械性能和水汽阻隔性之间的关联性,以及膜材料对溶菌酶的控释性.结果表明:高速分散处理的成膜乳液的油滴粒径较大且分布不均,成膜过程中部分油相富集在膜表面形成类似双层结构,膜材料机械性能较差;而经过微射流处理可以获得纳米尺度的粒子集中分布的成膜乳液,膜材料中油相均匀分散,具有良好的的抗拉强度;与对照膜相比,两种处理方法制备的乳液膜均有着较强的水汽阻隔性,但对于不同均质处理呈现不同的机制;利用微射流处理制备的膜材料具有良好的机械性能和水汽阻隔性,并对溶菌酶良好的控释性.     

高吸水改性聚乙烯醇(PVA)的制取及性能

高吸水改性 PVA 由 PVA 树脂通过酯化和皂化而成。它能吸收高达自重600倍的纯水。通过对酯化速度、交联度等的测定,计算了酯化反应活化能,并探讨了影响酯化率、交联密度及吸水性能的诸因素及其互相关系。借助 X 射线衍射、透射电镜,动态力学测试仪等的测试表明:高吸水改性 PVA 是一种二相结构,具有比纯 PVA 为低的结晶度。据此提出了高吸水改性 PVA 的结构模型。最后还报导了高吸水改性 PVA 的一些吸水性能。     

强子基本发射源的物理性质

p-p碰撞与■-p碰撞产生三个基本源,e~ -e~-碰撞产生五个源,双喷注有三个源且任何碰撞都产生中心快度区(基本源)。全部基本强子发射源都服从KNO标度,快度与动量分布服从亚群标度,这是短距离量子场论的结果。当s~(1/2)=540GeV时,中心源与碎裂源距离为8m_η~(-1)。由于事例为相容同时又独立的集合,这里提出了一种求和规则。并表明在基本强子发射源质心静止的Corentz坐标系中,任何源都具有相同的分布及物理性质。     

锡偶联型高乙烯基SSBR/BR/NR共混性能研究

该文研究了高乙烯基锡偶联型SSBR、NR、BR3种胶料的相容性及共混硫化胶的性能。结果表明：SSBR、NR及BR在一定的比例下，具有较好的相容性，DMA曲线上只有1个玻璃化转变，当SSBR／BR／NR的比例为20：30：50时，共混硫化胶的 M300、断裂伸长率和断裂时的拉伸疲劳次数最大，力争陛能较好。SSBR／BR／NR3种胶料共混有效地改善了NR的耐磨耗性能和抗湿滑性能，而对滚动阻力影响不大。     

焊接温度场的三维动态有限元模拟

焊件在快速加热和冷却过程中温度场的正确描述是进行组织转变和焊后接头力学性能分析的前提条件．焊接温度场的准确计算必须建立起准确的热传递数学模型和符合焊接生产实际的物理模型．文中采用Goldak热源分布模型，将熔池看成是双椭球的盘，其表面上热量是按高斯分布的函数，内部用双椭球函数来表示其分布，并应用SYSWELD软件的校正工具，根据具体的焊接工艺和条件对热源进行校正；考虑了材料热物理性能参数与温度的非线性关系，建立了焊接过程的数学模型和物理模型，以低合金结构钢的堆焊为例，对其温度场进行了三维动态模拟．其结果与实验值完全吻合．     

大腹圆蛛包卵丝的化学组成与物理机械性能

分析了大腹圆蛛包卵丝的氨基酸组成，包卵丝中极性氨基酸含量较高，小侧基氨基酸含量较少，利用SEM及计算机图像处理技术分析了大腹圆蛛包卵丝的形态结构特征，包卵丝的断面形状基本为圆形，包层包卵丝的细度约为内层包卵丝的2倍，并且外层包卵丝的纤维断面内有许多无规分布的纳米级孔隙，经冷冻干燥后，孔隙率增加了2倍左右，在此基础上，研究了大腹圆蛛包卵丝的拉伸机械性能，光泽和热性能，初步探索了性能的形成机理，大腹圆蛛内层包卵丝具有比其他功能蜘蛛丝和丝素纤维好得多的力学性能，其强度高，伸长率大，韧性好，包卵丝在光泽和热性能方面与蚕丝丝素纤维有一定的差异。     

半导体陶瓷边界层电容器的性能极限和设计

半导体陶瓷边界层电容器因其优异的物理性能而受到广泛重视.但自60年代初发明BaTiO_3半导瓷边界层电容器以来,边界层电容器的物理性能一直没有定量的理论描述,使得器件的设计和制造始终存在许多问题.由晶界势垒模型对半导体陶瓷边界层电容器的物理性能及其极限作定量分析、对边界层电容器的性能作出设计并对提高性能的方法进行探讨.