热载流子效应对n-MOSFETs可靠性的影响

研究热载流子效应对不同的沟道长度n-MOSFETs退化特性的影响．结果表明，随着器件沟道长度的减小，其跨导退化明显加快，当沟道长度小于1μm时退化加快更显著．这些结果可以用热载流子注入后界面态密度增加来解释．     

用“三步扩散法”实现PN结隔离工艺的研究

本文对常规PN结隔离工艺提出了一种简单易行的改革方案。其主要特点是采用“三步扩散法”实现硼隔离扩散,减薄了掩蔽硼隔离扩散所需的二氧化砖层厚度,从而缩短了高温热处理时间和生产周期,并有利于光刻质量的提高;采用本方案,还可以减薄外延层厚度,从而提高集成度、减少隔离寄生电容和集成晶体管集电区的体电阻,以利于电路性能的提高。